[发明专利]一种浅沟槽隔离结构衬垫的制备方法有效
| 申请号： | 201811119116.1 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN110943033B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/02;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 吴娅妮;于宝庆 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 隔离 结构 衬垫 制备 方法 | ||
1.一种浅沟槽隔离结构衬垫的制备方法，包括：
提供一开设有至少一条沟槽的半导体衬底，在所述沟槽内通过化学气相沉积或原子层沉积形成第一氧化硅衬垫层；以及
通过干法氧化法使O2通过所述第一氧化硅衬垫层进入所述半导体衬底与硅原子反应在所述沟槽内形成第二氧化硅衬垫层；
其中，所述第二氧化硅衬垫层夹设于所述第一氧化硅衬垫层与所述衬底之间。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二氧化硅衬垫层至少覆盖所述沟槽的底部和侧壁。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述干法氧化的温度为700～900℃、压力为0.1～760torr。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二氧化硅衬垫层的厚度为1～5nm，所述第一氧化硅衬垫层的厚度为3～7nm。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氧化硅衬垫层包括一层或多层氧化硅膜。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学气相沉积的温度为500～800℃、压力为0.1～10torr。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述沟槽的深宽比为(10～30):1。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第二氧化硅衬垫层的工艺温度高于形成所述第一氧化硅衬垫层的工艺温度。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一氧化硅衬垫层和所述第二氧化硅衬垫层组成所述衬垫，所述衬垫覆盖所述衬底的表面以及所述沟槽的底部和侧壁。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述衬垫覆盖于所述沟槽侧壁的厚度与覆盖于所述沟槽底部的厚度之比为1.05～1.3:1，所述衬垫覆盖于所述沟槽侧壁的厚度与覆盖于所述衬底的表面的厚度之比为1.05～1.3:1。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
