[发明专利]柔性基底及其制造方法、显示装置有效
申请号: | 201811117004.2 | 申请日: | 2018-09-25 |
公开(公告)号: | CN109273501B | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 蒋卓林 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/52 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 刘小鹤 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 柔性 基底 及其 制造 方法 显示装置 | ||
本发明公开一种柔性基底及其制造方法、显示装置,属于显示技术领域。柔性基底包括依次叠加的多个基底结构层,多个基底结构层中的至少一个基底结构层包括依次叠加的有机层、无机层和光子晶体层。本发明有助于解决显示装置的结构复杂的问题,简化显示装置的结构。本发明用于柔性显示。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种柔性基底及其制造方法、显示装置。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(英文:Active Matrix Organic Light EmittingDiode;简称:AMOLED)显示装置是一种新型的柔性平板显示装置,其具有色域广、对比度高、超薄以及柔性显示等特点,被业界认为是现在以及未来最具有潜力的显示装置。
AMOLED显示装置包括柔性基底以及设置在柔性基底上的背板电路、阳极、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、阴极和封装层等结构,背板电路包括薄膜晶体管(英文:Thin Film Transistor;简称:TFT),TFT包括依次设置的栅极、栅绝缘层、有源层和源漏极层,源漏极层包括源极和漏极,源极和漏极分别搭接在有源层上,且漏极与阳极连接,栅极用于控制TFT的开启或关闭,在TFT开启时,有源层导通,源极上的数据信号通过有源层流向漏极,并通过漏极流向阳极,使阳极与阴极之间形成电场,在该电场的作用下,阳极中的空穴通过空穴传输层注入有机发光层,阴极中的电子通过电子传输层注入有机发光层,空穴和电子在有机发光层中复合产生能量,激发有机发光层发光,使AMOLED显示装置实现图像显示。其中,有源层通常采用二氧化硅(SiO2)等半导体材料形成,在受到光照时,半导体材料的导带或杂质能带的电子受到激发会跃迁至价带使有源层导通,使源极上的数据信号通过有源层流向漏极,并通过漏极流向阳极,阳极与阴极之间形成电场,导致有机发光层发光,从而导致AMOLED显示装置出现显示异常。为了避免光照对有源层的影响,相关技术中,通常在柔性基底的背面(也即是柔性基底远离背板电路的一面)贴附遮光膜对光线进行遮挡。
在实现本发明的过程中,发明人发现相关技术至少存在以下问题:由于需要在柔性基底的背面贴附遮光膜,因此AMOLED显示装置的结构复杂。
发明内容
本发明提供一种柔性基底及其制造方法、显示装置,有助于解决显示装置的结构复杂的问题。本发明的技术方案如下:
第一方面,提供一种柔性基底,所述柔性基底包括:
依次叠加的多个基底结构层,所述多个基底结构层中的至少一个基底结构层包括依次叠加的有机层、无机层和光子晶体层。
可选地,所述多个基底结构层包括位于最外侧的第一基底结构层和第二基底结构层,所述第一基底结构层包括依次叠加的有机层、无机层和光子晶体层。
可选地,所述第二基底结构层包括依次叠加的有机层和无机层;
所述多个基底结构层还包括:位于所述第一基底结构层与所述第二基底结构层之间的第三基底结构层,所述第三基底结构层包括依次叠加的有机层、无机层和光子晶体层。
可选地,所述光子晶体层为二维光子晶体层。
可选地,所述光子晶体层具有沿所述光子晶体层的厚度方向贯通的多个通孔,所述多个通孔中的每个通孔中充填有有机材料。
可选地,所述多个通孔均为圆形通孔,所述多个通孔中的每个通孔的孔径的取值范围为10纳米~1000纳米。
可选地,所述通孔中充填的有机材料与所述有机层的形成材料相同。
可选地,所述有机材料为聚酰亚胺。
可选地,所述无机层的形成材料和所述光子晶体层的形成材料均为氧化硅。
可选地,所述有机层的厚度的取值范围为6微米~8微米,所述光子晶体层的厚度的取值范围为100纳米~300纳米;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811117004.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的