[发明专利]柔性基底及其制造方法、显示装置

权利要求书

1.一种柔性基底，其特征在于，所述柔性基底包括：

依次叠加的多个基底结构层，所述多个基底结构层包括位于最外侧的第一基底结构层、第二基底结构层和位于所述第一基底结构层与所述第二基底结构层之间的第三基底结构层，其中所述第一基底结构层和第三基底结构层都包括依次叠加的有机层、无机层和光子晶体层，所述第一基底结构层的光子晶体层的光子禁带与所述第二基底结构层的光子晶体层的光子禁带不同。

2.根据权利要求1所述的柔性基底，其特征在于，

所述第二基底结构层包括依次叠加的有机层和无机层。

3.根据权利要求1至2任一所述的柔性基底，其特征在于，所述光子晶体层为二维光子晶体层。

4.根据权利要求3所述的柔性基底，其特征在于，所述光子晶体层具有沿所述光子晶体层的厚度方向贯通的多个通孔，所述多个通孔中的每个通孔中充填有有机材料。

5.根据权利要求4所述的柔性基底，其特征在于，所述多个通孔均为圆形通孔，所述多个通孔中的每个通孔的孔径的取值范围为10纳米～1000纳米。

6.根据权利要求4所述的柔性基底，其特征在于，所述通孔中充填的有机材料与所述有机层的形成材料相同。

7.根据权利要求6所述的柔性基底，其特征在于，所述有机材料为聚酰亚胺。

8.根据权利要求1至2任一所述的柔性基底，其特征在于，所述无机层的形成材料和所述光子晶体层的形成材料均为氧化硅。

9.根据权利要求1所述的柔性基底，其特征在于，

所述有机层的厚度的取值范围为6微米～8微米，所述光子晶体层的厚度的取值范围为100纳米～300纳米；

所述第一基底结构层和所述第三基底结构层中的无机层的厚度的取值范围均为700纳米～900纳米，所述第二基底结构层中的无机层的厚度的取值范围为500纳米～1500纳米。

10.根据权利要求1至2任一所述的柔性基底，其特征在于，所述有机层的表面粗糙度小于或等于2％，所述无机层的表面粗糙度小于或等于3％，每个所述光子晶体层的表面粗糙度小于或等于3％。

11.一种柔性基底的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上形成依次叠加的多个基底结构层，所述多个基底结构层包括位于最外侧的第一基底结构层、第二基底结构层和位于所述第一基底结构层与所述第二基底结构层之间的第三基底结构层，其中所述第一基底结构层和第三基底结构层都包括依次叠加的有机层、无机层和光子晶体层，所述第一基底结构层的光子晶体层的光子禁带与所述第二基底结构层的光子晶体层的光子禁带不同；

剥离所述衬底基板，得到柔性基底。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述在衬底基板上形成依次叠加的多个基底结构层，包括：

在衬底基板上形成有机层；

在形成所述有机层的衬底基板上形成无机母层；

通过一次构图工艺对所述无机母层进行处理，得到无机层和光子晶体层，所述光子晶体层具有沿所述光子晶体层的厚度方向贯通的多个通孔；

在所述光子晶体层的每个通孔中充填有机材料，得到第一基底结构层。

13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述在所述光子晶体层的每个通孔中充填有机材料，得到第一基底结构层，包括：

在形成所述光子晶体层的衬底基板上形成第二基底结构层，所述第二基底结构层包括沿远离所述衬底基板的方向依次叠加的有机层和无机层，所述有机层的形成材料充填在所述光子晶体层的每个通孔中，得到第一基底结构层。

14.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求1至10任一所述的柔性基底。