[发明专利]太阳能电池的烧结方法、制备方法、太阳能电池和烧结炉

说明书

本发明涉及一种太阳能电池的烧结方法、制备方法、太阳能电池和烧结炉。其中，太阳能电池的烧结方法包括：对硅片正表面进行第一次升温处理；对进行了第一次升温处理的硅片正表面进行第二次升温处理；对进行了第二次升温处理的硅片正表面进行保温处理；对进行了保温处理的硅片正表面进行降温处理，以形成太阳能电池；其中第一次升温处理中硅片正表面的升温速率大于第二次升温处理中硅片正表面的升温速率。上述太阳能电池的烧结方法，使硅片表面钝化层内已经形成一定分布的氢离子浓度形成再分布，而再分布的氢离子可以有效的钝化硅片内部的缺陷杂质，从而起到很好的抑制光致衰减的作用。

技术领域

本发明涉及太阳能电池领域，特别是涉及太阳能电池的烧结方法、太阳能电池的制备方法、太阳能电池以及太阳能电池烧结炉。

背景技术

太阳能电池是一种将太阳能转化为电能的半导体器件，在太阳能电池领域中，掺硼P型硅片制作的太阳能电池产品是目前光伏行业的主流产品，而P型太阳能电池通常存在一个致命的缺点——光致衰减，其中，光致衰减是指晶体硅太阳能电池经过光照后电池效率下降的现象。以掺硼P型硅片制作的PERC电池为例，PERC电池可以有效的大幅提升太阳能电池的转化效率，但由于PERC电池特有的钝化层结构，其光致衰减率可达6％-9％，由此可见，改善PERC太阳能电池的光致衰减效应已刻不容缓。

针对PERC硅片太阳能电池的光致衰减问题，目前已经开发出了一些改善的方法，但是，由于硅片质量的差异以及加工生产工艺的差异，PERC太阳能电池的光致衰减效应仍处于不稳定状态，并且，目前的降低PERC太阳能电池光致衰减效应的一些生产方法难度大、成本高，这增加了PERC制作的太阳能电池的品质管控风险，削弱了光伏发电的竞争力。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种可以稳定降低太阳能电池光致衰减效应且生产难度小成本低的太阳能电池的烧结方法、制备方法、太阳能电池和烧结炉。

一种太阳能电池的烧结方法，所述方法包括：

对硅片正表面进行第一次升温处理；

对进行了第一次升温处理的硅片正表面进行第二次升温处理；

对进行了第二次升温处理的硅片正表面进行保温处理；

对进行了保温处理的硅片正表面进行降温处理，以形成太阳能电池；

其中，第一次升温处理中硅片正表面的升温速率大于第二次升温处理中硅片正表面的升温速率。

上述太阳能电池的烧结方法，使硅片先经过一次从低温到高温的过程，而后再经过一个保温和降温的过程，使硅片表面钝化层内已经形成一定分布的氢离子浓度形成再分布，而再分布的氢离子可以有效的钝化硅片内部的缺陷杂质，从而起到很好的抑制光致衰减的作用。另外，硅片由快速升温转变为慢速升温的过程也有助于氢离子的再分布，从而使改善光致衰减的效果更加明显。本方法对质量较差或内部缺陷较多的硅片同样适用，且易于产业化生产，不会提升生产成本。

在其中一个实施例中，对硅片正表面进行第一次升温处理，包括：将硅片正表面的温度从20℃-30℃升温至350℃-450℃，升温速率为25-40℃/s。

在其中一个实施例中，对进行了第一次升温处理的硅片正表面进行第二次升温处理，包括：将硅片正表面的温度从350℃-450℃升温至550℃-600℃，升温速率为15-20℃/s。

在其中一个实施例中，对进行了第二次升温处理的硅片正表面进行保温处理，包括：将硅片正表面的温度保持在600℃-700℃之间，保持时间为5-10s。

在其中一个实施例中，对进行了保温处理的硅片正表面进行降温处理，包括：将硅片正表面的温度从600℃-700℃降温至20℃-40℃，降温速率为60-80℃/s。