[发明专利]太阳能电池的烧结方法、制备方法、太阳能电池和烧结炉

权利要求书

1.一种太阳能电池的烧结方法，其特征在于，应用于硅片的第二次烧结处理过程，所述硅片的第一次烧结处理过程的包括使所述硅片的正、背面电极与所述硅片形成欧姆接触和一定分布的氢离子浓度；所述方法包括：

对硅片正表面进行第一次升温处理；

对进行了第一次升温处理的硅片正表面进行第二次升温处理；

对进行了第二次升温处理的硅片正表面进行保温处理；

对进行了保温处理的硅片正表面进行降温处理，以形成所述太阳能电池；

其中，所述第一次升温处理中硅片正表面的升温速率大于所述第二次升温处理中硅片正表面的升温速率，所述降温处理中硅片正表面的降温速率大于所述第一次升温处理中硅片正表面的升温速率。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的烧结方法，其特征在于，所述对硅片正表面进行第一次升温处理，包括：

将所述硅片正表面的温度从20℃-30℃升温至350℃-450℃，升温速率为25-40℃/s。

3.根据权利要求1所述的太阳能电池的烧结方法，其特征在于，所述对进行了第一次升温处理的硅片正表面进行第二次升温处理，包括：

将所述硅片正表面的温度从350℃-450℃升温至550℃-600℃，升温速率为15-20℃/s。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池的烧结方法，其特征在于，所述对进行了第二次升温处理的硅片正表面进行保温处理，包括：

将所述硅片正表面的温度保持在600℃-700℃之间，保持时间为5-10s。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池的烧结方法，其特征在于，所述对进行了保温处理的硅片正表面进行降温处理，包括：

将所述硅片正表面的温度从600℃-700℃降温至20℃-40℃，降温速率为60-80℃/s。

6.根据权利要求1-5任一项所述的太阳能电池的烧结方法，其特征在于，所述第一次升温处理、所述第二次升温处理、所述保温处理以及所述降温处理均在惰性气体氛围下完成。

7.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

对硅片双面依次进行清洗、抛光、碱制绒处理，以在所述硅片双面形成减反射绒面；

对形成减反射绒面的硅片双面进行磷扩散处理；

对进行了磷扩散后的硅片双面进行吸杂处理；

去除吸杂处理后的硅片双面的磷硅玻璃；

在去除了磷硅玻璃的硅片背表面上沉积钝化膜；

在沉积了钝化膜的硅片双面上沉积减反射膜；

对沉积了减反射膜的硅片背表面进行激光开槽处理；

对进行了激光开槽处理后的硅片进行丝网印刷处理；

对进行了丝网印刷处理后的硅片进行第一次烧结处理；

对进行了第一次烧结处理后的硅片进行第二次烧结处理，以完成太阳能电池的制备；

其中，所述第二次烧结处理采用如权利要求1-6任一项所述的太阳能电池的烧结方法完成。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述对进行了磷扩散后的硅片双面进行吸杂处理，包括：

将所述磷扩散后的扩散炉内的温度从750℃-850℃降温至500℃-600℃，降温速率为1-2℃/min，降温时间为2h-3h。

9.一种太阳能电池，其特征在于，采用如权利要求7或8所述的太阳能电池的制备方法制备而成。

10.一种太阳能电池烧结炉，所述太阳能电池烧结炉包括至少10个温区以及穿过所述至少10个温区的传送带，其特征在于，所述传送带的下方未设置加热管；所述太阳能电池烧结炉还包括设置于所述传送带上方的至少10个加热管，每一个所述加热管与一个所述温区电连接，所述加热管的温度可在对应的所述温区内调节，以依次提供如权利要求1～6任一项所述的第一次升温处理中硅片正表面的升温速率、第二次升温处理中所述硅片正表面的升温速率、所述降温处理中硅片正表面的降温速率。