[发明专利]集成电路及其形成方法

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

有源区组，位于衬底中，所述有源区组在第一方向上延伸，位于第一层级上，并且在与所述第一方向不同的第二方向上彼此分离；

第一组导电结构，位于所述衬底中，至少在所述第一方向或所述二方向上延伸，位于所述第一层级上，并且位于所述有源区组之间；

浅沟槽隔离(STI)区，至少在所述第一方向或所述第二方向上延伸，位于至少所述第一层级上，并且位于所述有源区组和所述第一组导电结构之间；

栅极组，在所述第二方向上延伸，至少与所述第一组导电结构重叠并且位于与所述第一层级不同的第二层级上，所述栅极组中的每个栅极在所述第一方向上通过第一间距与所述栅极组中的相邻栅极分离；

接触件组，在所述第二方向上延伸，与所述第一组导电结构重叠，并且位于所述第二层级上，所述接触件组中的每个接触件在所述第一方向上与所述接触件组中的相邻接触件分离；以及

第一组通孔，将所述第一组导电结构连接至所述接触件组，所述第一组通孔位于所述第一组导电结构和所述栅极组之间，并且所述第一组通孔中的通孔位于所述栅极组中的栅极与所述第一组导电结构中的导电结构重叠的位置处。

2.根据权利要求1所述的集成电路，还包括：

第二组通孔，将所述第一组导电结构连接至所述接触件组，所述第二组通孔位于所述第一组导电结构和所述接触件组之间，并且所述第二组通孔中的通孔位于所述接触件组中的接触件与所述第一组导电结构中的导电结构重叠的位置处。

3.根据权利要求2所述的集成电路，还包括：

第二组导电结构，在所述第一方向上延伸，位于所述有源区组之间，至少与所述栅极组重叠，并且位于与所述第一层级和所述第二层级不同的第三层级上，以及所述第二组导电结构中的每个导电结构在所述第二方向上与所述第二组导电结构中的相邻导电结构分离；以及

第三组通孔，将所述第二组导电结构连接至所述接触件组，所述第三组通孔位于所述第二组导电结构和所述接触件组之间，以及所述第三组通孔中的通孔位于所述第二组导电结构中的导电结构与所述接触件组中的另一接触件重叠的位置处。

4.根据权利要求2所述的集成电路，还包括：

第二组导电结构，在所述第一方向上延伸，位于所述有源区组之间，至少与所述栅极组重叠，并且位于与所述第一层级和所述第二层级不同的第三层级上，以及所述第二组导电结构中的每个导电结构在所述第二方向上与所述第二组导电结构中的相邻导电结构分离；以及

第三组通孔，将所述第二组导电结构连接至所述栅极组，所述第三组通孔位于所述第二组导电结构和所述栅极组之间，以及所述第三组通孔中的通孔位于所述第二组导电结构中的导电结构与所述栅极组中的另一栅极重叠的位置处。

5.根据权利要求4所述的集成电路，还包括：

第三组导电结构，在所述第二方向上延伸，位于所述栅极组之间，至少与所述第一组导电结构重叠，并且位于与所述第一层级、所述第二层级和所述第三层级不同的第四层级上，以及第四组导电结构中的每个结构在所述第一方向上与所述第四组导电结构中的相邻结构分离；以及

第四组通孔，将所述第三组导电结构连接至所述第二组导电结构，所述第四组通孔位于所述第三组导电结构和所述第二组导电结构之间，以及所述第四组通孔中的通孔位于所述第三组导电结构中的结构与所述第二组导电结构中的另一结构重叠的位置处。

6.根据权利要求5所述的集成电路，还包括：

鳍组，在所述第一方向上延伸并且位于所述栅极组下面，每个鳍在所述第二方向上通过鳍间距与所述鳍组中的相邻鳍分离。

7.根据权利要求6所述的集成电路，其中，所述第一组导电结构中的导电结构的顶面位于所述有源区组中的有源区的顶面或所述鳍组中的鳍的顶面下面。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述集成电路包括传输门。