[发明专利]硅基四棱台状微型通孔阵列、其制备方法和应用

权利要求书

1.一种硅基四棱台状微型通孔阵列的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

(1)制作掩膜版；

(2)选择硅片基片；

(3)硅片一面涂胶、曝光、显影；

(4)坚膜；

(5)硅片另一面涂胶、曝光、显影；

(6)坚膜；

(7)通过感应耦合等离子体反应离子刻蚀技术进行双面刻蚀；

(8)去胶；

所述步骤(3)中，所述胶为正性光刻胶，所述硅片的涂胶的厚度为3.5μm；

所述步骤(5)中，所述胶为正性光刻胶，所述硅片的涂胶的厚度为6μm；并且

在所述硅基四棱台状微型通孔阵列中，所述硅基为硅片，所述四棱台状微型通孔呈间隔阵列排布；所述硅片的厚度为190μm～210μm；所述四棱台状微型通孔的间隔为50～200μm；所述通孔的入口呈一定坡度，坡面与水平面的夹角为160～170度。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

所述四棱台状微型通孔的间隔为50～100μm。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，

所述硅片的厚度为200μm；

所述坡面与水平面的夹角为165度；和/或

所述四棱台状微型通孔的间隔为60μm。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述掩膜版选自以下一种或多种：铬版、菲林阴片。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，所述掩膜版为铬版。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中，所述硅片基片为双面抛光。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，

对涂胶后的硅片进行烘干，所述烘干温度为80～120℃，所述烘干时间为2～10min；

所述曝光条件为紫外光，所述曝光时间为10～20s；

所述显影时间为1～5min。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，

所述烘干温度为100℃，所述烘干时间为5min；

所述曝光时间为16s；

所述显影时间为2min。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中，对显影后的硅片用去离子水冲洗后再使用氮气吹干。

10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)和步骤(6)中，所述坚膜温度为100～250℃；所述坚膜时间为10min～30min。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)和步骤(6)中，所述坚膜温度为180℃；所述坚膜时间为10min。

12.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中，

对涂胶后的硅片进行烘干，所述烘干温度为80～120℃，所述烘干时间为2～10min；

所述曝光条件为紫外光，所述曝光时间为10～20s；

所述显影时间为1～5min；

对显影后的硅片用去离子水冲洗后再使用氮气吹干。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中，

所述烘干温度为100℃，所述烘干时间为5min；

所述曝光时间为16s；

所述显影时间为2min。

14.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中，对显影后的硅片用去离子水冲洗后再使用氮气吹干。