[发明专利]半导体装置在审

专利信息
申请号: 201811109994.5 申请日: 2018-09-21
公开(公告)号: CN109585401A 公开(公告)日: 2019-04-05
发明(设计)人: 青木伸亲;米山玲;后藤章;山下秋彦 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/495
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 壳体 内部端子 半导体装置 外部端子部 嵌入 导线键合 键合导线 锚固部 密接性 面接合 树脂 密接 组装
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其具有:

壳体,其由树脂构成;

嵌入端子,其组装至所述壳体,具有外部端子部和内部端子部,该外部端子部的一端从所述壳体露出,该内部端子部相对于所述外部端子部的另一端以L字形状弯曲,一个面从所述壳体露出,与所述壳体密接的锚固部构成该内部端子部的一部分;以及

键合导线,其与所述内部端子部的一个面接合。

2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述锚固部由在所述内部端子部的另一个面形成的凹部构成。

3.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

所述凹部由剖面形状呈矩形的凹陷构成。

4.根据权利要求2所述的半导体装置,其特征在于,

所述凹部由剖面形状呈梯形的凹陷构成。

5.根据权利要求3或4所述的半导体装置,其特征在于,

所述内部端子部的厚度T为0.5mm≤T≤3.0mm,所述凹部的凹陷宽度W为0.5mm≤W≤5mm,凹陷深度H为0.2mm≤H≤(T-0.3)mm。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

所述凹部由以格子状设置的多个凹陷构成。

7.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述锚固部由设置于所述内部端子部的伸长方向,以埋设于所述壳体的方式弯曲的第一弯折部构成。

8.根据权利要求7所述的半导体装置,其特征在于,

所述第一弯折部弯折为与所述内部端子部的一个面所成的角γ为15°≤γ≤90°。

9.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述锚固部由第一弯折部和第二弯折部构成,该第一弯折部设置于所述内部端子部的伸长方向,以埋设于所述壳体的方式弯曲,该第二弯折部是与所述第一弯折部相比在伸长方向侧进一步弯折而设置的,该第二弯折部被构成所述壳体的树脂覆盖。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

在所述第一弯折部具有贯穿孔,在所述贯穿孔填充有构成所述壳体的树脂。

11.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述锚固部由设置于所述内部端子部的侧面侧,以埋设于所述壳体的方式弯曲的侧面弯折部构成。

12.根据权利要求10所述的半导体装置,其特征在于,

所述侧面弯折部弯折为与所述内部端子部的一个面所成的角ε为30°≤ε≤150°。

13.根据权利要求10或11所述的半导体装置,其特征在于,

所述侧面弯折部具有贯穿孔,在所述贯穿孔填充有构成所述壳体的树脂。

14.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,

所述锚固部由在所述内部端子部的另一个面形成的凸部构成。

15.根据权利要求14所述的半导体装置,其特征在于,

所述凸部的凸起的剖面形状呈梯形。

16.根据权利要求1至15中任一项所述的半导体装置,其特征在于,

在所述壳体内还具有由SiC构成的半导体元件。

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