[发明专利]层叠陶瓷电容器有效
申请号: | 201811107365.9 | 申请日: | 2018-09-21 |
公开(公告)号: | CN109545552B | 公开(公告)日: | 2021-11-23 |
发明(设计)人: | 新井纪宏;坂爪克郎;野崎刚;石井真澄;有我穣二 | 申请(专利权)人: | 太阳诱电株式会社 |
主分类号: | H01G4/30 | 分类号: | H01G4/30;H01G4/12;H01G4/008;H01G4/232 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;吕秀平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 层叠 陶瓷 电容器 | ||
本发明提供能够确保高烧结性的层叠陶瓷电容器。层叠陶瓷电容器包括陶瓷主体、第一和第二内部电极以及第一和第二外部电极。陶瓷主体具有沿一轴方向层叠的多个陶瓷层,由多晶体形成,该多晶体以含有钙和锆且由通式ABO3表示的钙钛矿结构为主相,并且含有硅、硼和锂。第一和第二内部电极交替地配置在多个陶瓷层之间,与第一和第二外部电极连接。层叠陶瓷电容器中,在将陶瓷主体的体积设为V(mm3),将多晶体中以主相的B位点元素浓度为100atm%时的锂浓度设为CLi(atm%)时,满足0.2858V+0.4371≤CLi≤0.1306V+3.0391的关系。
技术领域
本发明涉及能够在高频区域使用的层叠陶瓷电容器。
背景技术
伴随电子设备的高频化,对于电子设备所使用的层叠陶瓷电容器要求在高频区域的高Q值(品质系数)。例如专利文献1中公开了一种层叠陶瓷电容器,其通过使用电阻率小的铜作为内部电极,来实现Q值的提高。
作为内部电极使用铜的层叠陶瓷电容器的烧制温度,需要熔点比低熔点的铜还低。因此,在专利文献1所记载的层叠陶瓷电容器中,为了得到即使烧制温度低也能够得到充分的烧结性,使用硅、硼、锂等在烧制时形成液相的烧结助剂。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2009-7209号公报
发明内容
发明要解决的课题
但是,在层叠陶瓷电容器的烧结过程中,容易挥发的锂的量发生变化。因此,为了充分获得由锂带来的提高烧结性的作用,需要在层叠陶瓷电容器的整个烧结过程中使锂的量处于适当的范围内。
鉴于以上的情况,本发明的目的在于提供能够确保高的烧结性的层叠陶瓷电容器。
用于解决课题的技术方案
为了达成上述目的,本发明的一个方式的层叠陶瓷电容器包括陶瓷主体、第一和第二内部电极以及第一和第二外部电极。
上述陶瓷主体具有沿一轴方向层叠的多个陶瓷层,上述陶瓷主体由多晶体形成,该多晶体以含有钙和锆且由通式ABO3表示的钙钛矿结构为主相,并且含有硅、硼和锂。
上述第一和第二内部电极交替地配置在上述多个陶瓷层之间。
上述第一外部电极设置在上述陶瓷主体的外表面,且与上述第一内部电极连接。
上述第二外部电极设置在上述陶瓷主体的外表面,且与上述第二内部电极连接。
在上述层叠陶瓷电容器中,在将上述陶瓷主体的体积设为V(mm3),将上述多晶体中以上述主相的B位点元素浓度为100atm%时的锂浓度设为CLi(atm%)时,
满足0.2901V+0.4068≤CLi≤0.1306V+3.0391的关系。
在该构成中,通过控制烧结后的陶瓷主体中的锂的量,能够使烧结过程的陶瓷主体中的锂的量在适当的范围内。即,该层叠陶瓷电容器通过使陶瓷主体中的锂的量为如上所述的量那样制造,能够确保陶瓷主体的高的烧结性。
上述多晶体中以上述主相的B位点元素浓度为100atm%时的硅浓度可以为1.0atm%以上6.0atm%以下。
上述多晶体中以上述主相的B位点元素浓度为100atm%时的硼浓度可以为1.0atm%以上6.0atm%以下。
在该构成中,能够有效地获得由硅和硼带来的使陶瓷主体的烧结性提高的作用。
上述多晶体还可以含有锰。
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