[发明专利]层叠陶瓷电容器有效
| 申请号： | 201811107365.9 | 申请日： | 2018-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN109545552B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 新井纪宏;坂爪克郎;野崎刚;石井真澄;有我穣二 | 申请（专利权）人： | 太阳诱电株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30;H01G4/12;H01G4/008;H01G4/232 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;吕秀平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 层叠 陶瓷 电容器 | ||
1.一种层叠陶瓷电容器，其特征在于，包括：
陶瓷主体，其具有沿一轴方向层叠的多个陶瓷层，所述陶瓷主体由多晶体形成，该多晶体以含有钙和锆且由通式ABO3表示的钙钛矿结构为主相，并且含有硅、硼和锂；
交替配置在所述多个陶瓷层之间的第一内部电极和第二内部电极；
设置在所述陶瓷主体的外表面的第一外部电极，该第一外部电极与所述第一内部电极连接；和
设置在所述陶瓷主体的外表面的第二外部电极，该第二外部电极与所述第二内部电极连接，
在将所述陶瓷主体的体积设为V，单位为mm3，将所述多晶体中以所述主相的B位点元素浓度为100atm％时的锂浓度设为CLi，单位为atm％时，
满足0.2858V+0.4371≤CLi≤0.1306V+3.0391的关系。
2.如权利要求1所述的层叠陶瓷电容器，其特征在于：
所述多晶体中以所述主相的B位点元素浓度为100atm％时的硅浓度为1.0atm％以上6.0atm％以下。
3.如权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器，其特征在于：
所述多晶体中以所述主相的B位点元素浓度为100atm％时的硼浓度为1.0atm％以上6.0atm％以下。
4.如权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器，其特征在于：
所述多晶体还含有锰，
所述多晶体中以所述主相的B位点元素浓度为100atm％时的锰浓度为0.5atm％以上5.5atm％以下。
5.如权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器，其特征在于：
所述第一内部电极和第二内部电极以铜为主要成分。
6.如权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器，其特征在于：
所述体积为0.001mm3以上5.000mm3以下。
7.如权利要求1或2所述的层叠陶瓷电容器，其特征在于：
所述体积为0.001mm3以上0.006mm3以下。
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