[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

说明书

公开了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：工艺腔室，工艺腔室在其内部具有处理空间；支承单元，支承单元配置为在处理空间中支承基板；气体供应单元，气体供应单元配置将处理气体供应至处理空间；以及等离子体生成单元，等离子体生成单元配置为由处理空间中的气体生成等离子体。其中，等离子体生成单元包括：高频电源；高频天线，将电流从高频电源施加至高频天线；和附加天线，附加天线设置为与高频天线间隔开，并将耦合电流从高频天线施加至附加天线。

相关申请的交叉引用

本申请要求根据美国法典第35编第119条对在韩国知识产权局提交的2017年9月21日提交的申请号为10-2017-0121706的韩国专利申请、和2017年11月20日提交的申请号为10-2017-0154769的韩国专利申请的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本文所描述的发明构思的实施例涉及一种基板处理装置和基板处理方法，尤其涉及一种可将等离子体均匀地供应至基板上的所有区域的基板处理装置及其基板处理方法。

背景技术

半导体制造工艺可包括使用等离子体处理基板的工艺。例如，在半导体工艺的蚀刻工艺中，可使用等离子体去除基板上的薄膜。

为了在基板处理工艺中使用等离子体，可在工艺腔室中安装可生成等离子体的等离子体生成单元。等离子体生成单元根据等离子体生成方法而分为电容耦合等离子体(capacitively coupled plasma,CCP)型和电感耦合等离子体(inductively coupledplasma,ICP)型。将CCP型源设置在腔室中，使得两个电极彼此相对，并将射频(RF)信号施加到两个电极中的任一个或两个上，以在腔室中生成电场，以便生成等离子体。同时，在ICP型源中，将一个或多个线圈安装在腔室中，通过将射频信号施加到线圈上而在腔室中感应电场而生成等离子体。

参照图1，在传统的ICP型中，控制供应至天线的电流及电流的相位，以便控制施加到基板上的等离子体的密度，并且供应至基板的边缘区域的等离子体的密度不能调节。

发明内容

本发明构思的实施例提供一种基板处理装置及其基板处理方法，该基板处理装置可调节供应至基板的边缘(edge)区域的等离子体的密度。

本发明构思要解决的问题不限于上述的问题，本发明构思所属领域的技术人员将从说明书和附图中清楚地理解未提及的问题。

根据本发明构思的一方面，本文提供一种基板处理装置，该基板处理装置包括：工艺腔室，该腔室在其内部具有处理空间；支承单元，该支承单元配置为在处理空间中支承基板；气体供应单元，该气体供应单元配置为将处理气体供应至处理空间；和等离子体生成单元，该等离子体生成单元配置为从处理空间中的气体生成等离子体，其中，等离子体生成单元包括高频电源、高频天线、和附加天线，将电流从高频电源施加至高频天线，附加天线设置为与高频天线间隔开，并将耦合电流从高频天线施加至附加天线。

附加天线可独立于高频电源设置。

附加天线可为闭合电路。

附加天线可设置为，当从顶部观察时，使得设置有附加天线的区域与处理空间的内部的周边区域(peripheral area)重叠。

附加天线可包括多个附加线圈，和其中多个附加线圈沿高频天线的纵向方向设置。

附加电容器可连接至附加线圈。

连接至附加线圈的一些附加电容器可具有不同的电容。

附加电容器可为可变电容器。

多个附加线圈可设置在所述高频天线的外侧。

高频天线可包括外部天线，外部天线可包括多个外部线圈，且一个附加线圈可耦合至一个外部线圈，且附加线圈耦合至不同的外部线圈。