[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，其包括：

工艺腔室，所述工艺腔室在其内部具有处理空间；

支承单元，所述支承单元配置为在所述处理空间中支承基板；

气体供应单元，所述气体供应单元配置为将处理气体供应至所述处理空间；和

等离子体生成单元，所述等离子体生成单元配置为由所述处理空间中的所述气体生成等离子体；

其中，所述等离子体生成单元包括：

高频电源；

高频天线，将电流从所述高频电源施加至所述高频天线；和

附加天线，所述附加天线设置为与所述高频天线间隔开，并将耦合电流从所述高频天线施加至所述附加天线；

其中，所述附加天线包括：

多个附加线圈，和

其中，所述多个附加线圈沿所述高频天线的纵向方向设置；

其中，所述高频天线包括：

外部天线，

其中，所述外部天线包括：

多个外部线圈，和

其中，一个所述附加线圈耦合至一个所述外部线圈，且各所述附加线圈耦合至不同的外部线圈。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述附加天线独立于所述高频电源设置。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述附加天线为闭合电路。

4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述附加天线设置为，当从顶部观察时，使得设置有所述附加天线的区域与所述处理空间的内部的边缘区域重叠。

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述附加线圈连接至附加电容器。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，连接至所述附加线圈的一些所述附加电容器具有不同的电容。

7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述附加电容器为可变电容器。

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述多个附加线圈设置在所述高频天线的外侧。

9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述高频天线还包括：

设置在所述外部天线之内的内部天线。

10.根据权利要求7所述的基板处理装置，其中，所述等离子体生成单元还包括：

控制器，所述控制器配置为通过单独调节所述附加电容器的电容来控制与所述多个附加线圈相对的区域的等离子体的密度。

11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，所述支承单元还包括：

传感器，所述传感器配置为检测所述基板的区域的等离子体的密度，和

其中，所述控制器基于所述传感器已检测到的所述区域的等离子体的密度来调节所述附加电容器的电容。

12.一种等离子体生成装置，其包括：

高频电源；

高频天线；将电流从所述高频电源施加至所述高频天线；和

附加天线，所述附加天线设置为与所述高频天线间隔开并耦合至所述高频天线，使得耦合电流从所述高频天线施加至所述附加天线；

其中，所述高频天线还包括：

外部天线，

其中，所述外部天线包括：

外部线圈，所述外部线圈的一端连接至所述高频天线，且所述外部线圈的另一端接地，

其中，所述附加天线包括：

多个附加线圈，所述多个附加线圈独立于所述高频电源设置，和

其中，一个附加线圈耦合至一个所述外部线圈，且各附加线圈耦合至不同的外部线圈。

13.根据权利要求12所述的等离子体生成装置，其中，所述附加线圈连接至附加电容器。

14.根据权利要求13所述的等离子体生成装置，其中，连接至所述附加线圈的一些所述附加电容器具有不同的电容。