[发明专利]L型晶体管、半导体存储器及其制造方法

说明书

本发明提供一种L型晶体管、半导体存储器及其制备方法，所述L型晶体管具有沿第二方向延伸的L型鳍片，第一源/漏区形成在所述L型鳍片的竖直鳍片部中，第二源/漏区形成在所述L型鳍片的水平直鳍片部中，栅极设置在所述水平直鳍片部上并沿所述第一方向延伸，由此使得所述第一源/漏区与第二源/漏区之间形成一个垂直L型沟道，可以增加有效沟道长度，克服短沟道效应，有利于实现更小的特征尺寸。

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，尤其涉及一种L型晶体管、半导体存储器及其制造方法。

背景技术

在半导体器件尤其是存储器领域，增大器件集成度的方法包括减小器件特征尺寸和改善单元结构。但是随着特征尺寸的减小，小尺寸晶体管会产生严重的短沟道效应，故可以通过改善器件单元结构，例如设计立体的晶体管结构，可以使得在相同特征尺寸条件下单个器件单元所占面积大大减小，从而增大器件集成度。

因此需要设计一种新的立式晶体管结构、半导体存储器及其制造方法，使得在相同特征尺寸条件下单个器件单元所占面积大大减小，从而增大器件集成度。

发明内容

本发明的目的在于提供一种L型晶体管、半导体存储器及其制造方法，使得在相同特征尺寸条件下单个器件单元所占面积大大减小，从而增大器件集成度。

为了实现上述目的，本发明提供一种L型晶体管，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有L型鳍片，所述L型鳍片包括沿第二方向延伸的水平鳍片部以及竖直设置在所述水平鳍片部的一端上的竖直鳍片部，且所述竖直鳍片部的底端部和所述水平鳍片部的一端连接，并且所述水平鳍片中形成有第二源/漏区，所述竖直鳍片部的顶端部中形成有第一源/漏区；以及，

栅极，设置在所述水平鳍片部上并沿第一方向延伸。

可选地，所述半导体衬底还具有沿所述第一方向延伸的第一沟槽，所述第一沟槽位于所述L型鳍片沿所述第一方向延伸的两侧壁外，并且所述第一沟槽的底部延伸至所述水平鳍片部的侧壁，并使所述L型鳍片沿所述第一方向延伸的两侧壁暴露在所述第一沟槽中。

可选地，所述半导体衬底还具有第二沟槽，所述第二沟槽沿所述第二方向延伸并暴露出所述L型鳍片沿所述第二方向延伸的侧壁，所述第一沟槽沿着第一方向的端部延伸至所述第二沟槽，以使所述第一沟槽和所述第二沟槽在所述第二沟槽的侧壁上连通。

可选地，所述的L型晶体管，还包括与所述第二源/漏区电连接的埋入式导线，所述埋入式导线埋设在所述第二沟槽中并沿着第二方向延伸，所述栅极沿第一方向延伸至所述第二沟槽中并跨设在所述埋入式导线上方。

可选地，所述的L型晶体管还包括导电接触结构，形成在所述第二沟槽中，并设置在所述埋入式导线和所述第二源/漏区之间，所述导电接触结构的一侧壁与所述第二源/漏区的侧壁表面接触，所述导电接触结构的另一侧壁与所述埋入式导线的侧壁表面接触，所述导电接触结构的底表面与所述第二沟槽底部的半导体衬底表面隔离。

可选地，所述的L型晶体管还包括第一介质层，所述第一介质层填充于所述第二沟槽中，所述埋入式导线位于所述第二沟槽中的所述第一介质层上，且所述埋入式导线通过所述第一介质层与所述半导体衬底绝缘隔离。

可选地，所述的L型晶体管还包括第二介质层，所述第二介质层填充在所述第二沟槽中并将所述埋入式导线掩埋在内。

可选地，所述的L型晶体管还包括栅介质层和栅极隔离层，所述栅介质层形成在所述栅极与所述L型鳍片之间，所述栅极隔离层覆盖在所述栅极上并填满所述第一沟槽和所述第二沟槽以及所述水平鳍片部上方的空间，以将所述栅极掩埋在内。

本发明还提供一种L型晶体管的制备方法，包括以下步骤：