[发明专利]L型晶体管、半导体存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种L型晶体管，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底具有L型鳍片，所述L型鳍片包括沿第二方向延伸的水平鳍片部以及竖直设置在所述水平鳍片部的一端上的竖直鳍片部，且所述竖直鳍片部的底端部和所述水平鳍片部的一端连接，并且所述水平鳍片中形成有第二源/漏区，所述竖直鳍片部的顶端部中形成有第一源/漏区；以及，

栅极，设置在所述水平鳍片部上并沿第一方向延伸。

2.如权利要求1所述的L型晶体管，其特征在于，所述半导体衬底还具有沿所述第一方向延伸的第一沟槽，所述第一沟槽位于所述L型鳍片沿所述第一方向延伸的两侧壁外，并且所述第一沟槽的底部延伸至所述水平鳍片部的侧壁，并使所述L型鳍片沿所述第一方向延伸的两侧壁暴露在所述第一沟槽中。

3.如权利要求2所述的L型晶体管，其特征在于，所述半导体衬底还具有第二沟槽，所述第二沟槽沿所述第二方向延伸并暴露出所述L型鳍片沿所述第二方向延伸的侧壁，所述第一沟槽沿着第一方向的端部延伸至所述第二沟槽，以使所述第一沟槽和所述第二沟槽在所述第二沟槽的侧壁上连通。

4.如权利要求3所述的L型晶体管，其特征在于，还包括与所述第二源/漏区电连接的埋入式导线，所述埋入式导线埋设在所述第二沟槽中并沿着第二方向延伸，所述栅极沿第一方向延伸至所述第二沟槽中并跨设在所述埋入式导线上方。

5.如权利要求4所述的L型晶体管，其特征在于，还包括导电接触结构，形成在所述第二沟槽中，并设置在所述埋入式导线和所述第二源/漏区之间，所述导电接触结构的一侧壁与所述第二源/漏区的侧壁表面接触，所述导电接触结构的另一侧壁与所述埋入式导线的侧壁表面接触，所述导电接触结构的底表面与所述第二沟槽底部的半导体衬底表面隔离。

6.如权利要求5所述的L型晶体管，其特征在于，还包括第一介质层，所述第一介质层填充于所述第二沟槽中，所述埋入式导线位于所述第一介质层上，且所述埋入式导线通过所述第一介质层与所述半导体衬底绝缘隔离。

7.如权利要求6所述的L型晶体管，其特征在于，所述的L型晶体管还包括第二介质层，所述第二介质层填充在所述第二沟槽中并将所述埋入式导线掩埋在内。

8.如权利要求1所述的L型晶体管，其特征在于，还包括栅介质层和栅极隔离层，所述栅介质层形成在所述栅极与所述L型鳍片之间，所述栅极隔离层覆盖在所述栅极上并填满所述第一沟槽和所述第二沟槽以及所述水平鳍片部上方的空间，以将所述栅极掩埋在内。

9.一种L型晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底，并沿第一方向和第二方向分别刻蚀所述半导体衬底，以形成L型鳍片、第一沟槽和第二沟槽，所述L型鳍片包括沿第二方向延伸的水平鳍片部以及竖直设置在所述水平鳍片部的一端上的竖直鳍片部，且所述竖直鳍片部的底端部和所述水平鳍片部的一端连接，所述第二沟槽沿所述第二方向延伸并暴露出所述L型鳍片沿所述第二方向延伸的侧壁，所述第一沟槽沿所述第一方向延伸并暴露出所述L型鳍片沿所述第一方向延伸的侧壁；

形成埋入式导线于所述第二沟槽中，所述埋入式导线沿着第二方向延伸；以及，

形成栅极于所述水平鳍片部上，所述栅极沿所述第一方向延伸。

10.如权利要求9所述的L型晶体管的制备方法，其特征在于，形成所述L型鳍片、所述第一沟槽和所述第二沟槽的步骤包括：

沿所述第一方向和所述第二方向分别刻蚀所述半导体衬底，以形成深度相同的第一沟槽和第二沟槽；以及，

沿所述第一方向刻蚀所述第一沟槽一侧的所述半导体衬底，刻蚀深度小于所述第一沟槽的深度，以形成连通所述第一沟槽的栅极沟槽以及所述L型鳍片，所述L型鳍片的水平鳍片部位于所述栅极沟槽的底部，所述L型鳍片的竖直鳍片部位于所述栅极沟槽的一侧。