[发明专利]连续逼近寄存器模拟数字转换器及其控制电路

权利要求书

1.一种连续逼近寄存器模拟数字转换器，该连续逼近寄存器模拟数字转换器包含一比较器、一切换电容式数字模拟转换器及一控制电路，该切换电容式数字模拟转换器包含一电容及电连接该电容之一驱动电路，该驱动电路包含：

一P型金氧半场效晶体管，具有一第一栅极、一第一源极及一第一漏极，其中该第一栅极接收一第一控制信号，该第一源极接收一第一参考电压，以及该第一漏极电连接该切换电容式数字模拟转换器之该电容的一第一端，其中该电容的一第二端耦接该比较器之一输入端；以及

一N型金氧半场效晶体管，具有一第二栅极、一第二源极及一第二漏极，其中该第二栅极接收一第二控制信号，该第二源极接收一第二参考电压，以及该第二漏极电连接该电容的该第一端；

其中该控制电路根据该比较器之一输出值控制该电容的该第一端的一目标电压，该控制电路通过控制该第一控制信号的上升缘领先该第二控制信号的上升缘以控制该目标电压由一高电压电平切换至一低电压电平，或是该控制电路通过控制该第二控制信号的下降缘领先该第一控制信号的下降缘以控制该目标电压由该低电压电平切换至该高电压电平。

2.如权利要求1所述的连续逼近寄存器模拟数字转换器，其中该P型金氧半场效晶体管是一第一P型金氧半场效晶体管，该N型金氧半场效晶体管是一第一N型金氧半场效晶体管，该控制电路包含：

一存储器，用来储存该比较器之该输出值；

一第一反相器，耦接于该存储器与该第一P型金氧半场效晶体管之间，用来产生该第一控制信号，包含：

一第二P型金氧半场效晶体管，具有一第一长宽比；以及

一第二N型金氧半场效晶体管，具有一第二长宽比；以及一第二反相器，耦接于该存储器与该第一N型金氧半场效晶体管之间，用来产生该第二控制信号，包含：

一第三P型金氧半场效晶体管，具有一第三长宽比；以及

一第三N型金氧半场效晶体管，具有一第四长宽比；

其中该第一长宽比大于该第二长宽比及/或该第三长宽比小于该第四长宽比。

3.如权利要求1所述的连续逼近寄存器模拟数字转换器，其中该控制电路包含：

一第一存储器，耦接该比较器，用来储存该比较器之该输出值；

一第二存储器，耦接该比较器，用来储存该比较器之该输出值；

一第一缓冲器，耦接于该第一存储器与该P型金氧半场效晶体管之间，用来提高该第一控制信号的驱动能力及产生一第一延迟；以及

一第二缓冲器，耦接于该第二存储器与该N型金氧半场效晶体管之间，用来提高该第二控制信号的驱动能力及产生一第二延迟；

其中该第二延迟大于该第一延迟。

4.如权利要求3所述的连续逼近寄存器模拟数字转换器，其中该连续逼近寄存器模拟数字转换器产生一数字码，该控制电路还包含：

一延迟电路，耦接该第一存储器及该第二存储器，用来根据一存储器重置信号产生一第一存储器重置信号及一第二存储器重置信号；

其中该连续逼近寄存器模拟数字转换器于产生该数字码后产生该存储器重置信号，该第一存储器重置信号用来重置该第一存储器，该第二存储器重置信号用来重置该第二存储器，且该第二存储器重置信号领先该第一存储器重置信号。