[发明专利]关键尺寸的控制方法及控制系统

权利要求书

1.一种关键尺寸的控制方法，其特征在于，所述控制方法包括：

建立光刻胶的显影延迟时间与关键尺寸的变异值的对应关系的第一数据库，所述第一数据库同时收集存储产线上的光刻胶的实际显影延迟时间；

基于所述第一数据库，依据所述光刻胶的实际显影延迟时间获得显影后光刻胶的关键尺寸的变异值；

建立修剪时间与修剪值的对应关系的第二数据库；

基于所述第二数据库，依据所述光刻胶的关键尺寸的变异值获得所述光刻胶所需的修剪时间；

依据所需的修剪时间，对所述光刻胶进行修剪，以调整所述光刻胶的关键尺寸。

2.根据权利要求1所述的关键尺寸的控制方法，其特征在于，建立所述第一数据库包括：

提供若干基底，于所述基底上形成光刻胶；

依据目标关键尺寸值，对所述光刻胶进行曝光处理，并将所述光刻胶分别经过不同的放置时间后，进行烘烤及显影处理，所述放置时间即为所述显影延迟时间；

测量不同放置时间下的光刻胶的量测关键尺寸值，依据所述量测关键尺寸值与所述目标关键尺寸值获得所述关键尺寸的变异值，并基于所述变异值与所述显影延迟时间，建立光刻胶的显影延迟时间与关键尺寸的变异值的对应关系的第一数据库。

3.根据权利要求1所述的关键尺寸的控制方法，其特征在于：建立所述第二数据库包括：

提供若干曝光显影后的光刻胶，测量修剪前的所述光刻胶的第一关键尺寸值；

将若干所述光刻胶分别在不同的修剪时间下进行修剪，并测量修剪后的所述光刻胶的第二关键尺寸值；

依据所述第一关键尺寸与所述第二关键尺寸值，以获得在相应修剪时间下所述光刻胶的修剪值，并基于所述修剪值与修剪时间，建立修剪时间与修剪值的对应关系的第二数据库。

4.根据权利要求3所述的关键尺寸的控制方法，其特征在于：依据所需的修剪时间，对所述光刻胶进行修剪后，还包括：

测量修剪后的所述光刻胶的关键尺寸值，并将该关键尺寸值反馈至所述修剪时间与修剪值的对应关系的第二数据库，以对所述第二数据库中的修剪时间与修剪值的对应关系进行修正。

5.根据权利要求1～4任意一项所述的关键尺寸的控制方法，其特征在于：所述光刻胶包括放大型的光刻胶，所述修剪的方法包括等离子体刻蚀法。

6.根据权利要求5所述的关键尺寸的控制方法，其特征在于，所述等离子体刻蚀的工艺条件包括：

所述等离子体刻蚀的射频功率为4000～5000W；

所述等离子体刻蚀的压力1～1.5torr；

所述等离子体刻蚀的气体包括O₂和H₂/N₂混合气体，所述气体流量范围介于11000sccm～13000sccm之间；

所述等离子体刻蚀的时间范围介于1秒～10秒之间；

所述等离子体刻蚀的温度范围介于220～250℃。

7.一种关键尺寸的控制系统，其特征在于，包括：

第一数据库，用以提供光刻胶的显影延迟时间与关键尺寸的变异值的对应关系，所述第一数据库同时收集存储产线上的光刻胶的实际显影延迟时间；

变异值计算单元，连接于所述数据库，用于依据光刻胶的实际显影延迟时间，从所述第一数据库中获得所述光刻胶的关键尺寸的变异值；

第二数据库，连接于所述变异值计算单元，用于提供修剪时间与修剪值的对应关系；

修剪时间计算单元，连接于所述变异值计算单元，用于依据所述光刻胶的关键尺寸的变异值，从所述第二数据库中获得所述光刻胶所需的修剪时间；

修剪站，连接于所述修剪时间计算单元，用于依据所需的修剪时间，对所述光刻胶进行修剪，以调整所述光刻胶的关键尺寸。

8.根据权利要求7所述的关键尺寸的控制系统，其特征在于：还包括反馈单元，连接于所述修剪站与所述第二数据库之间，用于测量通过所述修剪站修剪后的所述光刻胶的关键尺寸值，并将该关键尺寸值及对应的修剪时间反馈至所述第二数据库，以对所述第二数据库中的所述修剪时间与修剪值的对应关系进行修正。