[发明专利]抗瞬变喷头

说明书

本发明涉及抗瞬变喷头。公开了用于半导体处理设备的喷头，其包括被设计成减少或消除由于喷头内的气流瞬变而导致的在晶片的整个表面的非均匀气体输送的各种特征。

本申请是申请号为201610361563.2、申请日为2016年5月26日、发明名称为“抗瞬变喷头”的申请的分案申请。

技术领域

本发明总体上涉及半导体制造领域，更具体涉及抗瞬变喷头。

背景技术

半导体处理工具经常包括被设计成在整个半导体衬底或晶片以相对均匀的方式分配处理气体的部件。这些部件在业内通常被称为“喷头”。喷头一般包括在内部可以处理半导体衬底或者晶片的半导体处理容积空间前面的面板。面板可包括多个气体分配端口，这些端口使得在充气室容积空间内的气体能够流过面板并进入衬底和面板之间(或支撑晶片的晶片支撑件和面板之间)的反应空间。在一些情况下，喷头可被配置为在该喷头内将两种不同气体彼此隔离的同时，以同步方式在整个半导体衬底或晶片上分配这两种不同气体。气体分配端口通常被布置成使得整个晶片上的气体分配导致基本均匀的衬底处理。

发明内容

本公开的一个方面涉及一种装置，其具有：第一气体入口；第一表面；多个第一气体分配端口；第二表面；第三表面，其置于所述第一表面和第二表面之间；第四表面，其置于所述第三表面和第二表面之间；和多个第一气流通道，其置于所述第一表面和所述第三表面之间。在这样的装置中，所述第一气体入口可以被配置为输送第一处理气体通过所述第一表面，并且所述第一气体分配端口被配置成输送所述第一处理气体通过所述第二表面。

所述装置可以具有与所述第一气体入口流体连接的第一入口充气室容积空间，所述第一入口充气室容积空间至少部分地被所述第一表面和所述第三表面限定。所述装置可以进一步具有与所述第一气体分配端口流体连接的第一气体分配充气室容积空间，所述第一气体分配充气室容积空间至少部分地被所述第二表面和所述第四表面限定。

所述第一气流通道可以各自具有第一端和第二端，所述第一端将所述第一气流通道与所述第一入口充气室容积空间流体连接，所述第二端将所述第一气流通道与所述第一气体分配充气室容积空间流体连接。每个第一气流通道都可以是基本相同的总长度，在第一端延伸远离所述第一入口充气室容积空间，并且包括介于所述第一端和所述第二端之间的在140°和200°之间的弯曲，使得所述第一气流通道的所述第二端朝向所述第一入口充气室容积空间定位。

在一些实施方式中，每个第一气流通道的所述第二端可以通过穿过所述第四表面的相应的第一孔与所述第一气体分配充气室容积空间流体连接，每个第一孔可以具有标称孔直径。在一些实施方式中，多个第一凸台可以从所述第二表面朝向所述第四表面向上延伸，每个第一凸台居中于所述第一孔中的一个上，并且具有标称台直径。在一些这样的实施方式中，每个第一凸台可以从所述第四表面偏移介于0.025mm和1.2mm之间的距离。在其它的或另外的这样的实施方式中，每个第一凸台可以从所述第四表面偏移介于所述标称直径的1/11和1/13之间的距离。在还有的另外的或替代的这样的实施方式中，每个第一凸台可以从所述第四表面偏移小于所述标称台直径和所述标称孔直径之间的差的2倍并且大于所述标称台直径和所述标称孔直径之间的差的0.2倍的距离。

在一些实施方式中，第一气体分配端口的不同子集可以与所述第一凸台中的每个第一凸台相邻，并且每个第一凸台都可以居中于所述多个第一气体分配端口中的与该第一凸台相邻的第一气体分配端口之间。

在一些实施方式中，多个第一支撑柱可以跨于第二表面与第四表面之间。

在一些实施方式中，所述第一孔可以具有介于1.5mm和3mm之间的直径，并且在某些替代的或者另外的实施方式中，所述第一凸台可以具有介于5mm和8mm之间的直径。