[发明专利]薄膜形成方法及薄膜形成装置

说明书

本发明提供一种形成具有良好的电特性的包含氧化铟的薄膜的薄膜形成方法及薄膜形成装置。在清洗后的基板的表面上涂布包含氧化铟前驱体的涂布液，从而在基板上形成涂布膜。一边对该基板进行冷却，一边在大气环境中向涂布膜照射紫外线，从而使氧化铟前驱体光学活化。另外，对紫外线照射处理后的基板进行加热，从而使氧化铟前驱体热活化。对基板进行冷却，不对涂布膜进行加热而向该涂布膜照射紫外线，从而能够形成具有良好的电特性的包含氧化铟的薄膜。

技术领域

本发明涉及一种形成用于半导体用途的包含氧化铟的薄膜的薄膜形成方法及薄膜形成装置。

背景技术

典型地，采用溅射技术来形成氧化铟等的金属氧化物的薄膜。在溅射技术中，在真空腔室内使氩等的离子碰撞靶，使撞出的粒子堆积于基板的表面来形成薄膜。但是，对于溅射技术而言，存在除了需要产生高真空的装置以外，还在形成金属氧化膜时因缺氧而薄膜的特性降低的缺点。另外，溅射技术也存在难以调整薄膜的组成比的问题。

因此，正在研究使用液相法制造金属氧化物的薄膜。例如，在专利文献1、2中，提出了将含有氧化铟前驱体的组合物涂布在基板上并向该组合物照射规定波长范围的紫外线后，将组合物热转化为含氧化铟层的技术。

专利文献1：国际公开第2011/073005号；

专利文献2：国际公开第2012/062575号。

然而，发现了如下问题：像专利文献1、2公开的那样，仅通过向含有氧化铟前驱体的组合物只照射紫外线之后进行热转化，存在形成的含氧化铟层不会具有充分良好的电特性。

发明内容

本发明是鉴于上述问题而完成的，其目的在于，提供一种形成具有良好的电特性的包含氧化铟的薄膜的薄膜形成方法及薄膜形成装置。

为了解决上述问题，第一方面的发明是薄膜形成方法，用于形成包含氧化铟的薄膜，其特征在于，所述薄膜形成方法包括：涂布工序，将含有氧化铟前驱体的涂布液涂布在基板上，从而在所述基板上形成涂布膜；光活化工序，一边对所述基板进行冷却，一边向所述涂布膜照射紫外线，从而使所述氧化铟前驱体光学活化；以及热活化工序，在所述光活化工序之后，对所述基板进行加热，从而使所述氧化铟前驱体热活化。

另外，第二方面的发明在第一方面的发明的薄膜形成方法的基础上，其特征在于，在所述光活化工序中，一边将所述基板维持为10℃以上且50℃以下，一边向所述涂布膜照射紫外线。

另外，第三方面的发明在第一方面或第二方面的发明的薄膜形成方法的基础上，其特征在于，在所述光活化工序中，向所述涂布膜照射波长为200nm以下的紫外线。

另外，第四方面的发明是薄膜形成装置，形成包含氧化铟的薄膜的薄膜，其特征在于，所述薄膜形成装置具有：涂布处理部，将含有氧化铟前驱体的涂布液涂布在基板上，从而在所述基板上形成涂布膜；光照射处理部，向所述涂布膜照射紫外线，从而使所述氧化铟前驱体光学活化；以及热处理部，对通过所述光照射处理部使所述氧化铟前驱体光学活化的所述基板进行加热，从而使所述氧化铟前驱体热活化，所述光照射处理部具有对所述基板进行冷却的冷却部，一边对所述基板进行冷却，一边向所述涂布膜照射紫外线。

另外，第五方面的发明是在第四方面的发明的薄膜形成装置的基础上，其特征在于，所述冷却部将所述基板维持为10℃以上且50℃以下。

另外，第六方面的发明是在第四方面或第五方面的发明的薄膜形成装置的基础上，其特征在于，所述光照射处理部向所述涂布膜照射波长为200nm以下的紫外线。

根据第一方面至第三方面的发明，将含有氧化铟前驱体的涂布液涂布在基板上，一边对基板进行冷却一边向涂布膜照射紫外线，从而使氧化铟前驱体光学活化后，对基板进行加热，从而使氧化铟前驱体热活化，因而能够形成具有良好的电特性的含有氧化铟的薄膜。