[发明专利]薄膜形成方法及薄膜形成装置在审
| 申请号： | 201811099484.4 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109536932A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 柿村崇;北村嘉孝;高田令;A·诺伊曼;C·布林克默勒 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团;赢创德固赛有限公司 |
| 主分类号： | C23C18/14 | 分类号： | C23C18/14;C23C18/12 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 向勇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化铟 涂布膜 基板 薄膜形成装置 薄膜形成 电特性 前驱体 紫外线 薄膜 加热 冷却 照射 紫外线照射 大气环境 光学活化 前驱体热 对基板 涂布液 活化 清洗 | ||
1.一种薄膜形成方法，用于形成包含氧化铟的薄膜，其特征在于，所述薄膜形成方法包括：
涂布工序，将含有氧化铟前驱体的涂布液涂布在基板上，从而在所述基板上形成涂布膜；
光活化工序，一边对所述基板进行冷却，一边向所述涂布膜照射紫外线，从而使所述氧化铟前驱体光学活化；以及
热活化工序，在所述光活化工序之后，对所述基板进行加热，从而使所述氧化铟前驱体热活化。
2.如权利要求1所述的薄膜形成方法，其特征在于，
在所述光活化工序中，一边将所述基板维持为10℃以上且50℃以下，一边向所述涂布膜照射紫外线。
3.如权利要求1或2所述的薄膜形成方法，其特征在于，
在所述光活化工序中，向所述涂布膜照射波长为200nm以下的紫外线。
4.一种薄膜形成装置，用于形成包含氧化铟的薄膜，其特征在于，所述薄膜形成装置包括：
涂布处理部，将含有氧化铟前驱体的涂布液涂布在基板上，从而在所述基板上形成涂布膜；
光照射处理部，向所述涂布膜照射紫外线，从而使所述氧化铟前驱体光学活化；以及
热处理部，对通过所述光照射处理部使所述氧化铟前驱体光学活化的所述基板进行加热，从而使所述氧化铟前驱体热活化，
所述光照射处理部具有对所述基板进行冷却的冷却部，一边对所述基板进行冷却，一边向所述涂布膜照射紫外线。
5.如权利要求4所述的薄膜形成装置，其特征在于，
所述冷却部将所述基板维持为10℃以上且50℃以下。
6.如权利要求4或5所述的薄膜形成装置，其特征在于，
所述光照射处理部向所述涂布膜照射波长为200nm以下的紫外线。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
