[发明专利]一种零欧姆柱状电阻的制备方法

说明书

本发明公开一种零欧姆柱状电阻的制备方法，包括以下步骤：S1、采用化学镀镍工艺，在陶瓷基体表面镀制内电阻层，使内电阻层阻值小于1Ω；S2、在陶瓷基体两端压接帽盖；S3、采用电镀镍工艺，在内电阻层表面镀制外电阻层，外电阻层与内电阻层共同构成零欧姆柱状电阻的电阻膜，使电阻膜的阻值小于0.05Ω；S4、在外电阻层表面涂覆绝缘层；S5、在帽盖表面电镀锡层，得到所述零欧姆柱状电阻；本发明结合化学镀镍工艺与电镀镍工艺，可以快速使镍层厚度增加，使得外电阻层与内电阻层共同构成的电阻膜阻值最低可以做到0.01～0.03Ω，可以完全满足零欧姆电阻测试小于0.05Ω的要求，且工艺简单，成本低廉。

技术领域

本发明涉及电器元件技术领域，具体是一种零欧姆柱状电阻的制备方法。

背景技术

零欧姆电阻又称为跨接电阻器，是一种特殊用途的电阻，零欧姆电阻的并非真正的阻值为零，欧姆电阻实际是电阻值很小的电阻。零欧姆电阻一般作为电路中的跳线或者兼容设计等作用，目前普遍采用片式零欧姆电阻来使用，但是某些特殊领域，如航天航空，考虑到片式电阻的焊点疲劳问题，为了保证可靠性，特殊部位采用柱状零欧姆电阻来进行跳接，既实现了功能，又能保证焊点的牢固度。

发明内容

本发明的目的在于提供一种零欧姆柱状电阻的制备方法，该方法能够降低零欧姆电阻的阻值，保证产品的质量要求。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种零欧姆柱状电阻的制备方法，包括以下步骤：

S1、采用化学镀镍工艺，在陶瓷基体表面镀制内电阻层，使内电阻层阻值小于1Ω；

S2、在陶瓷基体两端压接帽盖；

S3、采用电镀镍工艺，在内电阻层表面镀制外电阻层，外电阻层与内电阻层共同构成零欧姆柱状电阻的电阻膜，使电阻膜的阻值小于0.05Ω；

S4、在外电阻层表面涂覆绝缘层；

S5、在帽盖表面电镀锡层，得到所述零欧姆柱状电阻。

进一步的，步骤S1化学镀镍工艺采用的镀液为体积比3:3:1的氯化镍、次亚磷酸钠与乳酸的混合溶液，氯化镍、次亚磷酸钠与乳酸均为分析纯；化学镀镍时的温度保持在90℃～98℃，镀镍时间1～3小时，使内电阻层阻值小于1Ω。

进一步的，步骤S3电镀镍工艺采用的镀液为氨基磺酸镍、氯化镍与硼酸的混合液，氨基磺酸镍浓度为70ml/L的、氯化镍浓度为15～25ml/L、硼酸浓度为30～40g/L，使混合液的镍离子60～75g/L、 pH值4～5，电镀镍时的温度为50℃～60℃，电镀电流35～45A，电镀时间1.5～2小时。

本发明的有益效果是，先采用化学镀镍工艺在陶瓷基体表面镀制内层的电阻膜，该电阻膜的阻值小于1Ω、最低可以达到0.07Ω；然后再采用电镀镍的方式降低阻值，由于电镀镍可以快速使镍层厚度增加，使得外电阻层与内电阻层共同构成的电阻膜阻值最低可以做到0.01～0.03Ω，可以完全满足零欧姆电阻测试小于0.05Ω的要求，且工艺简单，成本低廉。

附图说明

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明：

图1是本发明的示意图；

图2是图1的局部放大示意图。

具体实施方式

结合图1与图2所示，本发明提供一种零欧姆柱状电阻的制备方法，包括以下步骤：

S1、采用化学镀镍工艺，在陶瓷基体1表面镀制内电阻层2，化学镀镍工艺采用的镀液为体积比3:3:1的氯化镍、次亚磷酸钠与乳酸的混合溶液，氯化镍、次亚磷酸钠与乳酸均为分析纯；化学镀镍时的温度保持在90℃～98℃，镀镍时间1～3小时，使内电阻层2阻值小于1Ω；