[发明专利]一种零欧姆柱状电阻的制备方法在审
| 申请号： | 201811099472.1 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109243744A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 徐建建;李福喜;黄明怀;郁秋君 | 申请（专利权）人： | 贝迪斯电子有限公司 |
| 主分类号： | H01C17/14 | 分类号： | H01C17/14;H01C17/16;C04B41/52;C04B41/90 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233010 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 内电阻层 外电阻层 柱状电阻 电阻膜 化学镀镍工艺 电镀镍 镀制 制备 绝缘层 陶瓷基体表面 电阻层表面 零欧姆电阻 表面涂覆 电镀锡层 厚度增加 帽盖表面 陶瓷基体 压接帽 镍层 测试 | ||
【权利要求书】：
1.一种零欧姆柱状电阻的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、采用化学镀镍工艺，在陶瓷基体表面镀制内电阻层，使内电阻层阻值小于1Ω；
S2、在陶瓷基体两端压接帽盖；
S3、采用电镀镍工艺，在内电阻层表面镀制外电阻层，外电阻层与内电阻层共同构成零欧姆柱状电阻的电阻膜，使电阻膜的阻值小于0.05Ω；
S4、在外电阻层表面涂覆绝缘层；
S5、在帽盖表面电镀锡层，得到所述零欧姆柱状电阻。
2.根据权利要求1所述的一种零欧姆柱状电阻的制备方法，其特征在于，步骤S1化学镀镍工艺采用的镀液为体积比3:3:1的氯化镍、次亚磷酸钠与乳酸的混合溶液，氯化镍、次亚磷酸钠与乳酸均为分析纯；化学镀镍时的温度保持在90℃～98℃，镀镍时间1～3小时，使内电阻层阻值小于1Ω。
3.根据权利要求1所述的一种零欧姆柱状电阻的制备方法，其特征在于，步骤S3电镀镍工艺采用的镀液为氨基磺酸镍、氯化镍与硼酸的混合液，氨基磺酸镍浓度为70ml/L的、氯化镍浓度为15～25ml/L、硼酸浓度为30～40g/L，使混合液的镍离子60～75g/L、 pH值4～5，电镀镍时的温度为50℃～60℃，电镀电流35～45A，电镀时间1.5～2小时。
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