[发明专利]高电子迁移率晶体管有效

申请号：	201811098772.8	申请日：	2014-08-21
公开（公告）号：	CN109390396B	公开（公告）日：	2022-03-29
发明（设计）人：	邱显钦;童建凯;林恒光;杨治琟;王祥骏	申请（专利权）人：	晶元光电股份有限公司
主分类号：	H01L29/778	分类号：	H01L29/778;H01L29/15;H01L29/20;H01L29/205;H01L29/417;H01L29/423
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	陈小雯
地址：	中国台***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	电子迁移率晶体管
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【说明书】：

本发明公开一种高电子迁移率晶体管，包含：一基板；一外延叠层位于基板上，包含第一区域及环绕第一区域的第二区域；一阵列电极结构位于第一区域；以及多个第一电桥电连接至多个第二电极。阵列电极结构包含：多个第一电极位于外延叠层上，及多个第二电极位于外延叠层上并相邻于多个第一电极。多个第一电桥其中之一位于两个第二电极之间并横跨多个第一电极其中之一。

本申请是中国发明专利申请(申请号：201410414271.1，申请日：2014年08月21日，发明名称：高电子迁移率晶体管)的分案申请。

技术领域

本发明涉及一种高电子迁移率晶体管(HEMT)，特别是涉及一种具有空桥阵列(Air-bridge matrix,ABM)电极结构的高电子迁移率晶体管。

背景技术

氮化铝镓/氮化镓高电子迁移率晶体管为一具有发展潜力的下一代高功率元件。由于它们优越的材料特性，可以在高温高压下维持稳固的元件特性，因而在萧基二极管(Schottky barrier diodes,SBDs)与场效晶体管(Field effect transistors,FETs)方面特别受到瞩目。

在硅基板(111)上形成氮化镓材料的技术，由于其低成本以及优越的大尺寸晶片可扩充性的特性，已经逐渐为电子元件所采用。然而，由于在高电压操作下的电流壅塞效应，应用在硅基板上的氮化镓高电子迁移率晶体管仍有明显的热效应。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供一种高电子迁移率晶体管，包含：一基板；一外延叠层位于基板上，包含一第一区域及环绕第一区域的一第二区域；一阵列电极结构位于第一区域；以及多个第一电桥电连接至多个第二电极。阵列电极结构包含：多个第一电极位于外延叠层上及多个第二电极位于外延叠层上并相邻于多个第一电极。多个第一电桥其中之一位于两个第二电极之间并横跨多个第一电极其中之一。

附图说明

图1为本发明第一实施例的高电子迁移率晶体管的示意图；

图2A为本发明第一实施例的高电子迁移率晶体管俯视图；

图2B～图2C为本发明第一实施例的图2A的部分放大图；

图3为本发明第二实施例的高电子迁移率晶体管的示意图；

图4A～图4D为本发明实验的样本A～C的照片；

图5A为本发明实验的样本A～C的I_DS–V_GS及gm–V_GS特性图；

图5B为本发明实验的样本A～C的I_DS–V_DS特性图。

图5C为本发明实验的样本A～C的击穿电压(off-state breakdown)特性图；

图6A～图6C为本发明实验的样本A～C的热影像图。

符号说明

100 高电子迁移率晶体管