[发明专利]高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201811098772.8 | 申请日： | 2014-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109390396B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 邱显钦;童建凯;林恒光;杨治琟;王祥骏 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/15;H01L29/20;H01L29/205;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 | ||
1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：
基板；
外延叠层，位于该基板上；
阵列电极结构，包含：栅极，位于该外延叠层上；多个源极，位于该外延叠层上，并相邻于该栅极；以及多个漏极相邻于该栅极；
第一电桥；以及
第二电桥；
其中，该栅极包含第一侧、第二侧、第三侧、以及第四侧；
其中，该第一侧和该第三侧为相对侧，该第二侧和该第四侧为相对侧；
其中，该多个源极包含第一源极及第二源极分别配置于该第一侧和该第三侧；以及该多个漏极包含第一漏极及第二漏极分别配置于该第二侧和该第四侧；
其中，该第一电桥电连接到该第一源极与该第二源极；以及该第二电桥电连接到该第一漏极与该第二漏极。
2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该阵列电极结构还包含第一指状电极延伸自该栅极。
3.如权利要求2所述的高电子迁移率晶体管，其中该阵列电极结构更包含多个第二指状电极延伸自该第一源极及该第二源极其中之一。
4.如权利要求3所述的高电子迁移率晶体管，其中该阵列电极结构还包含多个第三指状电极延伸自该第一漏极及该第二漏极其中之一。
5.如权利要求3所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一指状电极环绕该多个第二指状电极其中之一。
6.如权利要求4所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一指状电极环绕该多个第三指状电极其中之一。
7.如权利要求4所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一指状电极的长度大于该多个第二指状电极其中之一的长度或该多个第三指状电极其中之一的长度。
8.如权利要求4所述的高电子迁移率晶体管，还包含第三电极垫，位于该外延叠层上，其中该多个第三指状电极其中之一电连接该多个漏极其中之一与该第三电极垫。
9.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该第一电桥位于该第一源极与该第二源极之间并横跨该栅极，或该第二电桥位于该第一漏极与该第二漏极之间并横跨该栅极。
10.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中该基板相对于该阵列电极结构的另一侧包含凹陷区域。
11.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，还包含导电层；以及
绝缘层，位于该导电层与该基板之间。
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