[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示面板

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板，属于显示技术领域。所述薄膜晶体管包括：层叠设置在衬底基板上的有源层、第一栅绝缘层、栅极、第二栅绝缘层和源漏极，所述源漏极包括源极和漏极；所述源极和所述漏极分别通过所述第二栅绝缘层上的第一过孔与所述有源层连接，且所述有源层与所述源极的接触位置处，及所述有源层与所述漏极的接触位置处均掺杂有金属离子。本发明减小了有源层与源漏极之间的接触电阻，有效地提高了薄膜晶体管的电学性能。本发明用于显示图像。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板。

背景技术

显示面板通常包括多个像素单元，每个像素单元中均设置有薄膜晶体管(英文：Thin Film Transistor；缩写：TFT)。该薄膜晶体管是控制对应像素单元显示亮度的基本电路元件。该薄膜晶体管可以包括：有源层、栅极绝缘层、栅电极和源漏极等。该源漏极包括源极和漏极，有源层为源极和漏极提供导电通道。

相关技术中，该有源层通常由铟镓锌氧化物(英文：indium gallium zinc oxide；缩写：IGZO)、非晶硅(英文：Amorphous silicone；缩写：a-Si)或多晶硅(英文：polycrystalline silicon；缩写：P-Si)等半导体材料制成。

但是，相关技术中的有源层与源漏极之间的接触电阻通常较大，导致薄膜晶体管的电学性能较差。

发明内容

本发明实施例提供了一种薄膜晶体管及其制造方法、显示面板，可以解决相关技术中有源层与源漏极之间的接触电阻通常较大，导致薄膜晶体管的电学性能较差的问题。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种薄膜晶体管，包括：

层叠设置在衬底基板上的有源层、第一栅绝缘层、栅极、第二栅绝缘层和源漏极，所述源漏极包括源极和漏极；

所述源极和所述漏极分别通过所述第二栅绝缘层上的第一过孔与所述有源层连接，且所述有源层与所述源极的接触位置处，及所述有源层与所述漏极的接触位置处均掺杂有金属离子。

可选地，所述薄膜晶体管还包括：位于所述栅极与所述第二栅绝缘层之间的第三绝缘层，所述第三绝缘层由所述金属离子的氧化物制成，且所述第三绝缘层上设置有与所述第一过孔连通的第二过孔，第一正投影与第二正投影围成的整体投影覆盖所述有源层与所述源极以及所述漏极的接触位置在所述衬底基板上的正投影，所述第一正投影为所述第三绝缘层在所述衬底基板上的正投影，所述第二正投影为所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影。

可选的，所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影与所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影重合。

可选地，所述金属离子包括：铝离子或钛离子。

可选地，所述第一栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述栅极在所述衬底基板上的正投影；

所述第二栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述栅极在所述衬底基板上的正投影。

第二方面，提供了一种薄膜晶体管的制造方法，所述方法包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上依次形成有源薄膜层、第一栅绝缘层和栅极；

对所述有源薄膜层进行离子掺杂，得到有源层，所述有源层用于与源极接触的接触位置处，及所述有源层用于与漏极接触的接触位置处均掺杂有金属离子；

在形成有所述栅极的衬底基板上形成第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层上形成有第一过孔；

在形成有所述第二栅绝缘层的衬底基板上形成源漏极，所述源漏极包括所述源极和所述漏极，所述源极和所述漏极分别通过形成在所述第二栅绝缘层上的第一过孔与所述有源层连接。