[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

层叠设置在衬底基板上的有源层、第一栅绝缘层、栅极、第二栅绝缘层和源漏极，所述源漏极包括源极和漏极；

所述源极和所述漏极分别通过所述第二栅绝缘层上的第一过孔与所述有源层连接，且所述有源层与所述源极的接触位置处，及所述有源层与所述漏极的接触位置处均掺杂有金属离子。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括：位于所述栅极与所述第二栅绝缘层之间的第三绝缘层，所述第三绝缘层由所述金属离子的氧化物制成，且所述第三绝缘层上设置有与所述第一过孔连通的第二过孔，第一正投影与第二正投影围成的整体投影覆盖所述有源层与所述源极以及所述漏极的接触位置在所述衬底基板上的正投影，所述第一正投影为所述第三绝缘层在所述衬底基板上的正投影，所述第二正投影为所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述第一过孔在所述衬底基板上的正投影与所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影重合。

4.根据权利要求1至3任一所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述金属离子包括：铝离子或钛离子。

5.根据权利要求1至3任一所述的薄膜晶体管，其特征在于，

所述第一栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述栅极在所述衬底基板上的正投影；

所述第二栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述栅极在所述衬底基板上的正投影。

6.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上依次形成有源薄膜层、第一栅绝缘层和栅极；

对所述有源薄膜层进行离子掺杂，得到有源层，所述有源层用于与源极接触的接触位置处，及所述有源层用于与漏极接触的接触位置处均掺杂有金属离子；

在形成有所述栅极的衬底基板上形成第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层上形成有第一过孔；

在形成有所述第二栅绝缘层的衬底基板上形成源漏极，所述源漏极包括所述源极和所述漏极，所述源极和所述漏极分别通过形成在所述第二栅绝缘层上的第一过孔与所述有源层连接。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述对所述有源薄膜层进行离子掺杂，得到有源层，包括：

在形成有所述栅极的衬底基板上形成金属薄膜层，所述金属薄膜层在所述衬底基板上的正投影覆盖接触位置在所述衬底基板上的正投影；

通过所述金属薄膜层对所述有源薄膜层进行离子掺杂；

对掺杂有离子的有源薄膜层进行退火处理，得到所述有源层；

对所述金属薄膜层进行氧化处理；

对氧化后的金属薄膜层进行图形化处理，得到第三绝缘层，所述第三绝缘层上形成有与所述第一过孔连通的第二过孔，且第一正投影与第二正投影围成的整体投影覆盖所述有源层与所述源极以及所述漏极的接触位置在所述衬底基板上的正投影，所述第一正投影为所述第三绝缘层在所述衬底基板上的正投影，所述第二正投影为所述第二过孔在所述衬底基板上的正投影。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，

所述金属离子包括：铝离子或钛离子。

9.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，

所述第一栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述栅极在所述衬底基板上的正投影；

所述第二栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影覆盖所述栅极在所述衬底基板上的正投影。

10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：阵列排布的多个像素单元，每个所述像素单元包括：权利要求1至5任一所述的薄膜晶体管。