[发明专利]驱动器以及具有该驱动器的存储器控制器有效
| 申请号: | 201811088092.8 | 申请日: | 2014-04-15 |
| 公开(公告)号: | CN109344102B | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
| 发明(设计)人: | 具京会 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | G06F13/40 | 分类号: | G06F13/40 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张帆 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 驱动器 以及 具有 存储器 控制器 | ||
一种驱动器以及具有该驱动器的存储器控制器。该存储器控制器包括总线驱动器,该总线驱动器使该存储器控制器能对两种存储器装置进行支持,所述两种存储器装置分别为支持低功率双倍数据传输率3传输方法的半导体存储器装置以及支持低功率双倍数据传输率4传输方法的半导体存储器装置。
本申请是基于2014年4月15日提交的、申请号为201410157570.1、发明创造名称为“驱动器以及具有该驱动器的存储器控制器”的中国专利申请的分案申请。
技术领域
根据本发明构思原理的示例性实施例涉及存储器控制器,更具体地说,涉及包含驱动器的存储器控制器,在本文中,该驱动器也被称作线路驱动器,该线路驱动器能选择性地支持低功率双倍数据传输率(LPDDR)的传输方法。
背景技术
由于高性能存储器装置和多核应用处理器的使用,应用于智能电话、平板个人电脑(PC)、超级本等的移动存储器装置的带宽已经迅速提升。
为了跟上这些发展,移动存储器装置已经发展到能支持使用VDDQ-TERM信令的LPDDR3传输方法和使用VSSQ-TERM信令的LPDDR4传输方法。
然而,由于使用各种标准和运用不同的信令方法,支持一种标准的存储器装置不能使用在需要支持另一种标准的应用中。
发明内容
在根据本发明构思原理的示例性实施例中,一种总线线路驱动器包括:受第一信号控制的连接在接地电压源和第一节点之间的第一NMOS晶体管;受第二信号控制的连接在第一节点和第二节点之间的第二NMOS晶体管;受第三信号控制的连接在第二节点和电源电压源之间的第一PMOS晶体管;以及连接至第一节点的焊盘,其中,当支持第一传输方法且启动第一PMOS晶体管时,通过第二NMOS晶体管将电源电压施加到焊盘上,并且当支持第二传输方法时,将焊盘连接至第二节点。
在根据本发明构思原理的示例性实施例中,第二信号和第三信号具有相反的相位。
在根据本发明构思原理的示例性实施例中,当支持第二传输方法时,使用金属修正将焊盘连接至第二节点,且当启动第一PMOS晶体管时,通过第二节点将电源电压源施加到焊盘。
在根据本发明构思原理的示例性实施例中,当支持第二传输方法时,通过反熔丝将焊盘连接至第二节点,且当启动第一PMOS晶体管时,通过第二节点将电源电压施加到焊盘。
在根据本发明构思原理的示例性实施例中,将电源电压施加到第二信号。
在根据本发明构思原理的示例性实施例中,当支持第二传输方法时,使用金属修正将焊盘连接至第二节点,且当启动第一PMOS晶体管时,通过第二节点将电源电压施加到焊盘。
在根据本发明构思原理的示例性实施例中,当支持第二传输方法时,通过反熔丝将焊盘连接至第二节点,且当启动第一PMOS晶体管时,通过第二节点将电源电压施加到焊盘。
在根据本发明构思原理的示例性实施例中,一种总线线路驱动器还包括受第四信号控制的连接在第二节点和焊盘之间的第二PMOS晶体管。
在根据本发明构思原理的示例性实施例中,第二信号和第三信号具有相反的相位,且根据第四信号支持第一传输方法或第二传输方法。
在根据本发明构思原理的示例性实施例中,将电源电压施加到第二信号,并且根据第四信号支持第一传输方法或第二传输方法。
在根据本发明构思原理的示例性实施例中,一种驱动器还包括:连接在第一NMOS晶体管和第一节点之间的第一电阻器;连接在第二NMOS晶体管和第二节点之间的第二电阻器;以及连接在第二节点和第一PMOS晶体管之间的第三电阻器,其中,当支持第一传输方法时,第一电阻器和第二电阻器增加阻抗的线性,且当支持第二传输方法时,第一电阻器和第三电阻器增加阻抗的线性。
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