[发明专利]驱动器以及具有该驱动器的存储器控制器有效
| 申请号: | 201811088092.8 | 申请日: | 2014-04-15 |
| 公开(公告)号: | CN109344102B | 公开(公告)日: | 2022-08-09 |
| 发明(设计)人: | 具京会 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | G06F13/40 | 分类号: | G06F13/40 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张帆 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 驱动器 以及 具有 存储器 控制器 | ||
1.一种存储器控制器,包括驱动器,所述驱动器包括:
第一NMOS晶体管,其连接于接地电压源和焊盘之间,并受第一信号控制;
第二NMOS晶体管,其连接于第一节点和第二节点之间,并受第二信号控制;以及
第一PMOS晶体管,其连接于所述第二节点和电源电压源之间,并受第三信号控制,
其中,所述焊盘连接至所述第一节点或者同时连接至所述第一节点和所述第二节点,
其中, 所述第二信号和所述第三信号具有相反的相位。
2.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中,当所述焊盘同时连接至所述第一节点和所述第二节点时,所述焊盘使用金属修正连接至所述第二节点,并且
当所述第一PMOS晶体管被激活时,所述电源电压经由所述第二节点施加到所述焊盘,
其中,金属修正指的是通过在半导体制造工艺期间仅改变最终金属工艺来改变电路布局的工艺。
3.根据权利要求1所述的存储器控制器,其中,当支持第二传输方法时,所述焊盘经由反熔丝连接至所述第二节点,并且
当所述第一PMOS晶体管被激活时,所述电源电压经由所述第二节点施加到所述焊盘。
4.根据权利要求1所述的存储器控制器,还包括第二PMOS晶体管,其连接于所述第二节点和所述焊盘之间,并且受第四信号控制。
5.根据权利要求4所述的存储器控制器,其中,当所述第一PMOS 晶体管被激活时,根据所述第四信号选择性地经由所述第二节点或所述第一节点将所述电源电压施加到所述焊盘。
6.根据权利要求1所述的存储器控制器,还包括:
第一电阻器,其连接于所述第一NMOS晶体管和所述第一节点之间;以及
第二电阻器,其连接于所述第二NMOS晶体管和所述第二节点之间。
7.根据权利要求1所述的存储器控制器,还包括:
第一电阻器,其连接于所述第一NMOS晶体管和所述第一节点之间;以及
第三电阻器,其连接于所述第一PMOS晶体管和所述第二节点之间。
8.根据权利要求1所述的存储器控制器,还包括:
第一电阻器,其连接于所述第一NMOS晶体管和所述第一节点之间;
第二电阻器,其连接于所述第二NMOS晶体管和所述第二节点之间;
第三电阻器,其连接于所述第一PMOS晶体管和所述第二节点之间。
9.一种存储器控制器,包括驱动器,所述驱动器包括:
第一NMOS晶体管,其连接于接地电压源和焊盘之间,并受第一信号控制;
第二NMOS晶体管,其连接于第一节点和第二节点之间,并受第二信号控制;以及
第一PMOS晶体管,其连接于所述第二节点和电源电压源之间,并受第三信号控制,
其中,所述焊盘连接于所述第一节点或者同时连接至所述第一节点和所述第二节点,
其中,将所述电源电压施加到所述第二信号。
10.根据权利要求9所述的存储器控制器,其中,当所述焊盘同时连接至所述第一节点和所述第二节点时,所述焊盘使用金属修正连接至所述第二节点,并且
当所述第一PMOS晶体管被激活时,所述电源电压经由所述第二节点施加到所述焊盘,
其中,金属修正指的是通过在半导体制造工艺期间仅改变最终金属工艺来改变电路布局的工艺。
11.根据权利要求9所述的存储器控制器,其中,当支持第二传输方法时,所述焊盘经由反熔丝连接至所述第二节点,并且
当所述第一PMOS晶体管被激活时,所述电源电压经由所述第二节点施加到所述焊盘。
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