[发明专利]一种功率半导体元件开通关断损耗的平衡方法在审
申请号: | 201811084264.4 | 申请日: | 2018-09-17 |
公开(公告)号: | CN110912380A | 公开(公告)日: | 2020-03-24 |
发明(设计)人: | 余占清;曾嵘;周文鹏;屈鲁;庄池杰;赵彪;刘佳鹏;许超群 | 申请(专利权)人: | 国网浙江省电力公司;清华大学 |
主分类号: | H02M1/06 | 分类号: | H02M1/06;H03K17/56 |
代理公司: | 北京知联天下知识产权代理事务所(普通合伙) 11594 | 代理人: | 王冲;张迎新 |
地址: | 310007 *** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率 半导体 元件 开通 损耗 平衡 方法 | ||
1.一种功率半导体元件开通关断损耗的平衡方法,其特征在于,所述方法包括,
在功率半导体元件开通或关断时,降低开通或关断动态过程中的动态电流与电压积分。
2.根据权利要求1所述的功率半导体元件开通关断损耗的平衡方法,其特征在于,所述降低开通或关断动态过程中的动态电流与电压积分包括,
在功率半导体元件开通或关断时,缩短开通和/或关断动态过程的时间。
3.根据权利要求2所述的功率半导体元件开通关断损耗的平衡方法,其特征在于,所述缩短开通动态过程的时间包括以下一种或多种方式:
增大功率半导体元件的发射效率、增大触发电流。
4.根据权利要求2所述的功率半导体元件开通关断损耗的平衡方法,其特征在于,所述缩短关断动态过程的时间包括以下一种或多种方式:
减小功率半导体元件厚度、减弱功率半导体元件的阳极发射效率、减小功率半导体元件少子寿命。
5.根据权利要求3所述的功率半导体元件开通关断损耗的平衡方法,其特征在于,所述增大功率半导体元件的发射效率还包括,
所述发射效率小于或等于预设效率。
6.根据权利要求4所述的功率半导体元件开通关断损耗的平衡方法,其特征在于,所述减弱功率半导体元件的阳极发射效率还包括以下一种或多种协调方式,
控制功率半导体元件的阳极浓度、控制结深、控制阳极短路结构。
7.根据权利要求2所述的功率半导体元件开通关断损耗的平衡方法,其特征在于,所述降低开通或关断动态过程中的动态电流与电压积分还包括,
在功率半导体元件开通或关断时,降低开通或关断动态过程的电压或电流峰值。
8.根据权利要求2所述的功率半导体元件开通关断损耗的平衡方法,其特征在于,在缩短功率半导体元件开通或关断动态过程的时间之前与缩短功率半导体元件开通或关断动态过程的时间时,所述功率半导体元件的缓冲回路保持相同。
9.根据权利要求1所述的功率半导体元件开通关断损耗的平衡方法,其特征在于,所述功率半导体元件包括集成门极换流晶闸管(IGCT)。
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