[发明专利]基于电致发光器件的显示基板及其制备方法、显示装置有效
| 申请号: | 201811081696.X | 申请日: | 2018-09-17 |
| 公开(公告)号: | CN109300912B | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
| 发明(设计)人: | 王国英;宋振 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52;H01L21/84 |
| 代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 赵天月 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 基于 电致发光 器件 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
本发明公开了基于电致发光器件的显示基板及其制备方法、显示装置。该显示基板包括:衬底,衬底上设置有电致发光器件,像素界定结构以及用于控制电致发光器件的薄膜晶体管;衬底上设置有与电致发光器件的电极相连的导电层,导电层与薄膜晶体管的有源层搭接,搭接区域被像素界定结构覆盖。由此,该显示基板可以避免通过刻蚀过孔(套孔)的形式实现电致发光器件和薄膜晶体管的电连接,从而一方面可以简化生产工艺,另一方面依靠搭接的方式也可以令搭接区域具有较大的透过率,显示基板的整体透明程度提升;并且显示基板的开口率大,发光面积大,发光效率高,可同时兼顾透过率与发光效率,进一步提升产品的市场竞争力。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体地,涉及基于电致发光器件的显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
电致发光器件作为平板显示器的重要一员,由于其具有重量轻、成本低、视角宽、响应速度快、主动发光、发光亮度和发光效率高、能实现全色显示等优点,获得了显示领域研发人员的青睐。其中,无机电致发光显示(Electroluminescent,EL)与有机电致发光显示(OrganicLightEmitting Display,OLED)作为典型代表,在信息显示产业得到了广泛的应用。例如,广泛的用于手机、Pad等便携设备的中小尺寸OLED显示装置,以及用于电视(TV)的大尺寸OLED显示装置。此外,随着信息社会的发展,新颖的显示技术如透明显示装置等,获得了良好的用户体验,具有更加广阔的市场前景。
然而,目前基于电致发光器件的显示基板及其制备方法、显示装置,仍有待改进。
发明内容
本发明是基于发明人对于以下事实和问题的发现和认识作出的:
发明人发现,目前基于电致发光器件制备的透明显示基板,普遍存在着透过率低、发光效率差等问题。发明人经过深入研究以及大量实验发现,这主要是由于目前在透明显示基板的透过率和基板设计存在竞争,为了增强透明显示基板的透过率,只能通过减少发光面积的方法来实现,即以降低发光效率为代价来提升透过率,反之,如若为了保证发光面积以及发光效率,则透明显示基板的透光率低,无法实现较好的透明效果。因此,如果能提出一种基于电致发光器件制备的透明显示基板,不仅显示基板的透过率高,而且发光面积大、发光效果高,即同时兼顾透过率与发光效率,将在很大程度上解决上述问题。
本发明旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。
在本发明的一个方面,本发明提出了一种基于电致发光器件的显示基板。该显示基板包括:衬底,所述衬底上设置有电致发光器件,像素界定结构以及用于控制所述电致发光器件的薄膜晶体管;所述衬底上设置有与所述电致发光器件的电极相连的导电层所述导电层与所述薄膜晶体管的有源层搭接,搭接区域被所述像素界定结构覆盖。由此,该显示基板可以避免通过刻蚀过孔(套孔)的形式实现电致发光器件和薄膜晶体管的电连接,从而一方面可以简化生产工艺,另一方面依靠搭接的方式也可以令搭接区域具有较大的透过率,显示基板的整体透明程度提升;并且显示基板的开口率大,发光面积大,发光效率高,可同时兼顾透过率与发光效率,进一步提升产品的市场竞争力。
根据本发明的实施例,所述有源层包括沟道部分和位于所述沟道部分相对两侧的导体化部分,所述导电层与所述导体化部分搭接且包覆所述导体化部分远离所述沟道部分的一侧。由此,可以进一步提升该显示基板的性能。
根据本发明的实施例,所述显示基板的非显示区中具有透明区域,所述搭接区域位于所述透明区域中。由此,可以进一步提升该显示基板的性能。
根据本发明的实施例,所述电致发光器件包括依次设置在所述衬底上的第一电极、发光层以及第二电极,所述第一电极和所述发光层覆盖所述透明区域。
根据本发明的实施例,所述第一电极由反射金属形成,所述导电层由透明导电材料形成且位于所述第一电极和所述发光层之间,所述第一电极与所述导电层电连接。由此,可以进一步提升该显示基板的性能。
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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