[发明专利]基于电致发光器件的显示基板及其制备方法、显示装置

权利要求书

1.一种基于电致发光器件的显示基板，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底上设置有电致发光器件，像素界定结构以及用于控制所述电致发光器件的薄膜晶体管；

所述衬底上设置有与所述电致发光器件的电极相连的导电层，所述导电层与所述薄膜晶体管的有源层搭接，搭接区域被所述像素界定结构覆盖，所述显示基板的非显示区中具有透明区域，所述搭接区域位于所述透明区域中。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述有源层包括沟道部分和位于所述沟道部分相对两侧的导体化部分，所述导电层与所述导体化部分搭接且包覆所述导体化部分远离所述沟道部分的一侧。

3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述电致发光器件包括依次设置在所述衬底上的第一电极、发光层以及第二电极，所述第二电极和所述发光层覆盖所述透明区域。

4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述第一电极由反射金属形成，所述导电层由透明导电材料形成且位于所述第一电极和所述发光层之间，所述第一电极与所述导电层电连接。

5.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述导电层在所述衬底上的正投影完全覆盖所述第一电极和所述薄膜晶体管在所述衬底上的正投影。

6.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，所述薄膜晶体管进一步包括：依次设置在所述有源层远离所述衬底一侧的栅极绝缘层、栅极和层间介质层；

源漏电极，所述源漏电极设置在所述层间介质层远离所述栅极的一侧，且通过所述层间介质层上的过孔与所述有源层连接；

电容电极，所述电容电极与所述源漏电极同层同材料且间隔设置。

7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述层间介质层、所述有源层在所述衬底上的正投影与所述像素界定层在所述衬底上的正投影的交叠面积依次减小。

8.一种制备基于电致发光器件的显示基板的方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成电致发光器件，像素界定结构以及用于控制所述电致发光器件的薄膜晶体管；

在所述衬底上形成与所述电致发光器件的电极相连的导电层，并令所述导电层与所述薄膜晶体管的有源层搭接，搭接区域被所述像素界定结构覆盖，

所述显示基板的非显示区中具有透明区域，所述电致发光器件是通过以下步骤形成的：形成第一电极；在所述第一电极远离所述衬底的一侧形成发光层；在所述发光层远离所述第一电极的一侧形成第二电极；

其中，所述发光层以及所述第二电极覆盖所述透明区域。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述有源层包括沟道部分和位于所述沟道部分相对两侧的导体化部分，所述导电层与所述导体化部分搭接且包覆所述导体化部分远离所述沟道部分的一侧。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述显示基板的非显示区中具有透明区域，所述薄膜晶体管是通过以下步骤形成的：

在所述衬底上形成缓冲层；

在所述缓冲层远离所述衬底的一侧形成有源层；

在所述有源层远离所述缓冲层的一侧形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层远离所述有源层的一侧形成栅极；

在所述栅极远离所述栅极绝缘层的一侧形成层间介质层；

在所述层间介质层远离所述栅极的一侧沉积金属层，并通过构图工艺形成源漏电极以及电容电极，所述源漏电极通过所述层间介质层上的过孔与所述有源层连接。

11.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1～7任一项所述的基于电致发光器件的显示基板，或者利用权利要求8～10任一项所述的方法制备的基于电致发光器件的显示基板。