[发明专利]微机电泵的制造方法有效
申请号: | 201811079811.X | 申请日: | 2018-09-17 |
公开(公告)号: | CN110902644B | 公开(公告)日: | 2023-01-10 |
发明(设计)人: | 莫皓然;余荣侯;张正明;戴贤忠;廖文雄;黄启峰;韩永隆;陈宣恺 | 申请(专利权)人: | 研能科技股份有限公司 |
主分类号: | B81C1/00 | 分类号: | B81C1/00 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 聂慧荃;郑特强 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微机 制造 方法 | ||
1.一种微机电泵的制造方法,其特征在于,包含以下步骤:
(a)提供一第一基板,将该第一基板薄化至一第一厚度;
(b)于该第一基板形成一第一氧化层,且该第一基板蚀刻出至少一进气孔,其中该第一基板的该进气孔由蚀刻形成锥形;
(c)提供一第二基板,将该第二基板薄化至一第二厚度;
(d)于该第二基板形成一第二氧化层,并于该第二基板上蚀刻出一穿孔;
(e)将该第二基板结合至该第一基板,且该第一氧化层位于该第一基板与该第二基板之间,该进气孔与该穿孔错位;
(f)提供一第三基板,将该第三基板薄化至一第三厚度,以及于该第三基板蚀刻出多个气体通道;
(g)于该第三基板设置一压电组件,步骤(g)包含有以下步骤:(g1)沉积一下电极层;(g2)于该下电极层上沉积一压电层;(g3)于该压电层的部分与该下电极层的部分沉积一绝缘层;(g4)于该压电层未沉积该绝缘层的区域上沉积一上电极层,该上电极层与该压电层电性连接;
(h)将该第三基板结合至该第二基板,且该第二氧化层位于该第二基板与该第三基板之间,该气体通道与该穿孔错位;
其中,该第一基板、该第二基板及该第三基板为通过一长晶制程所形成的一硅芯片。
2.如权利要求1所述的微机电泵的制造方法,其特征在于,步骤(b)更包含于该第一氧化层蚀刻出至少一进气流道及一汇流腔室,该进气流道的一端与该汇流腔室相通,该进气流道的另一端与该进气孔相通。
3.如权利要求1所述的微机电泵的制造方法,其特征在于,步骤(d)更包含于该第二氧化层蚀刻出一气体腔室。
4.权利要求1所述的微机电泵的制造方法,其特征在于,步骤(g)系以一物理气相沉积制程进行沉积。
5.权利要求1所述的微机电泵的制造方法,其特征在于,步骤(g)系以一化学气相沉积制程进行沉积。
6.权利要求1所述的微机电泵的制造方法,其特征在于,步骤(g2)系以一溶胶凝胶法制程进行沉积。
7.如权利要求1项所述的微机电泵的制造方法,其特征在于,该第一基板、该第二基板及该第三基板皆通过研磨制程分别薄化至该第一厚度、该第二厚度及该第三厚度。
8.如权利要求1所述的微机电泵的制造方法,其特征在于,该第一厚度大于该第三厚度,该第三厚度大于该第二厚度。
9.如权利要求1所述的微机电泵的制造方法,其特征在于,该第一氧化层的厚度大于该第二氧化层的厚度。
10.如权利要求1所述的微机电泵的制造方法,其特征在于,该长晶制程为多晶硅生长控制技术。
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