[发明专利]微机电泵的制造方法有效

专利信息
申请号: 201811079811.X 申请日: 2018-09-17
公开(公告)号: CN110902644B 公开(公告)日: 2023-01-10
发明(设计)人: 莫皓然;余荣侯;张正明;戴贤忠;廖文雄;黄启峰;韩永隆;陈宣恺 申请(专利权)人: 研能科技股份有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 聂慧荃;郑特强
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 微机 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种微机电泵的制造方法,其特征在于,包含以下步骤:

(a)提供一第一基板,将该第一基板薄化至一第一厚度;

(b)于该第一基板形成一第一氧化层,且该第一基板蚀刻出至少一进气孔,其中该第一基板的该进气孔由蚀刻形成锥形;

(c)提供一第二基板,将该第二基板薄化至一第二厚度;

(d)于该第二基板形成一第二氧化层,并于该第二基板上蚀刻出一穿孔;

(e)将该第二基板结合至该第一基板,且该第一氧化层位于该第一基板与该第二基板之间,该进气孔与该穿孔错位;

(f)提供一第三基板,将该第三基板薄化至一第三厚度,以及于该第三基板蚀刻出多个气体通道;

(g)于该第三基板设置一压电组件,步骤(g)包含有以下步骤:(g1)沉积一下电极层;(g2)于该下电极层上沉积一压电层;(g3)于该压电层的部分与该下电极层的部分沉积一绝缘层;(g4)于该压电层未沉积该绝缘层的区域上沉积一上电极层,该上电极层与该压电层电性连接;

(h)将该第三基板结合至该第二基板,且该第二氧化层位于该第二基板与该第三基板之间,该气体通道与该穿孔错位;

其中,该第一基板、该第二基板及该第三基板为通过一长晶制程所形成的一硅芯片。

2.如权利要求1所述的微机电泵的制造方法,其特征在于,步骤(b)更包含于该第一氧化层蚀刻出至少一进气流道及一汇流腔室,该进气流道的一端与该汇流腔室相通,该进气流道的另一端与该进气孔相通。

3.如权利要求1所述的微机电泵的制造方法,其特征在于,步骤(d)更包含于该第二氧化层蚀刻出一气体腔室。

4.权利要求1所述的微机电泵的制造方法,其特征在于,步骤(g)系以一物理气相沉积制程进行沉积。

5.权利要求1所述的微机电泵的制造方法,其特征在于,步骤(g)系以一化学气相沉积制程进行沉积。

6.权利要求1所述的微机电泵的制造方法,其特征在于,步骤(g2)系以一溶胶凝胶法制程进行沉积。

7.如权利要求1项所述的微机电泵的制造方法,其特征在于,该第一基板、该第二基板及该第三基板皆通过研磨制程分别薄化至该第一厚度、该第二厚度及该第三厚度。

8.如权利要求1所述的微机电泵的制造方法,其特征在于,该第一厚度大于该第三厚度,该第三厚度大于该第二厚度。

9.如权利要求1所述的微机电泵的制造方法,其特征在于,该第一氧化层的厚度大于该第二氧化层的厚度。

10.如权利要求1所述的微机电泵的制造方法,其特征在于,该长晶制程为多晶硅生长控制技术。

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