[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：衬底；设于所述衬底中的源极区，具有第一导电类型；设于所述衬底中的体引出区，具有第二导电类型，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；多晶硅栅，设于所述衬底上；所述源极区和体引出区在导电沟道宽度方向上交替排列组成第一区域，所述源极区和体引出区在第一区域内互补，所述体引出区在所述多晶硅栅的下表面的正投影为矩形以外的形状。本发明通过将体引出区在多晶硅栅的下表面的正投影设置为矩形以外的形状，可以减小体引出区在多晶硅栅的下表面的正投影面积，相应地增大了源极区与多晶硅栅侧边附近重合的区域的面积，进而提高器件的导通电流。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种半导体器件，还涉及一种半导体器件的制造方法。

背景技术

半导体器件的源极区和体引出区可以设置在阱区中。参见图1，一种传统的设置方式是源极区14和体引出区12均为沿导电沟道长度方向延伸的条形，并且在导电沟道宽度方向上交替排列。以N沟道金属氧化物半导体场效应管为例，由于电流是被N型的源极区14收集，所以源极区14与多晶硅栅20侧边附近重合的区域(图1中通过箭头抠出进行示意)所占面积越多，得到的导通电流就越大。

发明内容

基于此，有必要提供一种具有大导通电流的半导体器件。

一种半导体器件，包括：衬底；设于所述衬底中的源极区，具有第一导电类型；设于所述衬底中的体引出区，具有第二导电类型，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；多晶硅栅，设于所述衬底上；所述源极区和体引出区在导电沟道宽度方向上交替排列组成第一区域，所述源极区和体引出区在第一区域内互补，所述体引出区在所述多晶硅栅的下表面的正投影为矩形以外的形状。

在其中一个实施例中，所述正投影从与所述下表面的交界处沿导电沟道长度方向逐渐变窄。

在其中一个实施例中，所述体引出区在衬底上表面的正投影为菱形，菱形的两条对角线分别在导电沟道长度方向和宽度方向上。

在其中一个实施例中，还包括设于所述衬底中的漏极区，所述多晶硅栅位于所述源极区和漏极区之间的上方。

在其中一个实施例中，还包括设于所述衬底中的阱区，具有第一导电类型，所述源极区和体引出区是设于所述阱区中。

在其中一个实施例中，所述半导体器件为N沟道金属氧化物半导体场效应管，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。

还有必要提供一种半导体器件的制造方法。

一种半导体器件的制造方法，包括：获取衬底，所述衬底上形成有多晶硅栅；通过光刻和掺杂在所述衬底中形成在导电沟道宽度方向上交替排列的源极区和体引出区，包括使用源极区光刻版进行光刻和使用体引出区光刻版进行光刻，体引出区光刻版光刻形成的体引出区掺杂窗口在所述多晶硅栅的下表面的正投影为矩形以外的形状，所述源极区和体引出区在导电沟道宽度方向上交替排列组成第一区域，所述源极区和体引出区在第一区域内互补，所述源极区具有第一导电类型，所述体引出区具有第二导电类型。

在其中一个实施例中，所述光刻包括使用体引出区光刻版进行光刻，所述体引出区光刻版上的体引出区形状为菱形。

在其中一个实施例中，掺杂形成源极区的步骤是通过离子注入同时形成漏极区和源极区，所述多晶硅栅位于所述源极区和漏极区之间的上方。

在其中一个实施例中，所述通过光刻和掺杂在所述衬底中形成在导电沟道宽度方向上交替排列的源极区和体引出区的步骤之前，还包括在所述衬底中形成阱区的步骤。

上述半导体器件及其制造方法，通过将体引出区在多晶硅栅的下表面的正投影设置为矩形以外的形状，可以减小体引出区在多晶硅栅的下表面的正投影面积，相应地增大了源极区与多晶硅栅侧边附近重合的区域的面积，进而提高器件的导通电流。