[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811078893.6 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN110911487A | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 金华俊;孙贵鹏 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
衬底；
设于所述衬底中的源极区，具有第一导电类型；
设于所述衬底中的体引出区，具有第二导电类型，所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；
多晶硅栅，设于所述衬底上；所述源极区和体引出区在导电沟道宽度方向上交替排列组成第一区域，所述源极区和体引出区在第一区域内互补，所述体引出区在所述多晶硅栅的下表面的正投影为矩形以外的形状。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述正投影从与所述下表面的交界处沿导电沟道长度方向逐渐变窄。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述体引出区在衬底上表面的正投影为菱形，菱形的两条对角线分别在导电沟道长度方向和宽度方向上。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括设于所述衬底中的漏极区，所述多晶硅栅位于所述源极区和漏极区之间的上方。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括设于所述衬底中的阱区，具有第一导电类型，所述源极区和体引出区是设于所述阱区中。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为N沟道金属氧化物半导体场效应管，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型。
7.一种半导体器件的制造方法，包括：
获取衬底，所述衬底上形成有多晶硅栅；
通过光刻和掺杂在所述衬底中形成在导电沟道宽度方向上交替排列的源极区和体引出区，包括使用源极区光刻版进行光刻和使用体引出区光刻版进行光刻，体引出区光刻版光刻形成的体引出区掺杂窗口在所述多晶硅栅的下表面的正投影为矩形以外的形状，所述源极区和体引出区在导电沟道宽度方向上交替排列组成第一区域，所述源极区和体引出区在第一区域内互补，所述源极区具有第一导电类型，所述体引出区具有第二导电类型。
8.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述光刻包括使用体引出区光刻版进行光刻，所述体引出区光刻版上的体引出区形状为菱形。
9.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，掺杂形成源极区的步骤是通过离子注入同时形成漏极区和源极区，所述多晶硅栅位于所述源极区和漏极区之间的上方。
10.根据权利要求7所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述通过光刻和掺杂在所述衬底中形成在导电沟道宽度方向上交替排列的源极区和体引出区的步骤之前，还包括在所述衬底中形成阱区的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811078893.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
