[发明专利]一种Ag@Ag2S@CdS核壳纳米核壳材料的制备方法在审

专利信息
申请号: 201811077175.7 申请日: 2018-09-15
公开(公告)号: CN109261167A 公开(公告)日: 2019-01-25
发明(设计)人: 申芳华;林朝阳;邓君 申请(专利权)人: 东莞理工学院
主分类号: B01J27/04 分类号: B01J27/04;B01J35/08;B01J37/03
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 523808 广东省东莞市松山湖高新技术*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 混合溶液 无水乙醇 甲苯 制备 离心洗涤 剩余固体 油酸 纳米核壳材料 半导体纳米 核壳材料 搅拌条件 硫前驱体 三丁基磷 移液枪 融入 核壳 烧瓶 移取 油胺 油浴
【权利要求书】:

1.一种Ag@Ag2S@CdS半导体纳米核壳材料的制备方法,制备步骤如下:

步骤一、用移液枪移取0.5 mL纳米Ag溶胶于烧瓶中,加入5 mL甲苯、30 mL无水乙醇、2mL油酸、5mL油胺混合均匀,得混合溶液一;

步骤二:在混合溶液一种加入10mL硫前驱体,室温下搅拌30min-4h;

步骤三:步骤二反应完全后,加入50mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到10mL甲苯中,得Ag@Ag2S溶胶;

步骤四:在步骤三Ag@Ag2S溶胶,加入0.25mL 0.2g/L的CdCl2溶液,混合均匀,得混合溶液二;

步骤五:将混合溶液二在室温下搅拌30min;

步骤六:在步骤二搅拌30min后的溶液中加入1mL三丁基磷,混合均匀后,50℃下搅拌2h;

步骤七:油浴搅拌条件下100℃反应3-10h;

步骤八:自然冷却至室温,加入100mL无水乙醇离心洗涤三次,将离心后的剩余固体融入到20mL甲苯中,得Ag@CdS溶胶。

2.如权利要求1所述的一种Ag@Ag2S@CdS半导体纳米核壳材料的制备方法,其特征在于,所述Ag@Ag2S@CdS核直径约为20-100nm,壳直径约为30-180nm,Ag2S厚度为0-150nm,CdS厚度为0-150nm,且Ag2S和CdS厚度不同时为0。

3.如权利要求1所述的一种Ag@Ag2S@CdS半导体纳米核壳材料的制备方法,其特征在于,所述Ag@Ag2S@CdS核直径约为20nm,壳直径约为180nm,Ag2S厚度为150nm,CdS厚度为30nm。

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