[发明专利]电致发光装置在审
| 申请号: | 201811076019.9 | 申请日: | 2018-09-14 |
| 公开(公告)号: | CN109560108A | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
| 发明(设计)人: | 张志向;具沅会;崔民根 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;王鹏 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 底电极 薄膜晶体管 子像素 主子像素 基板 电致发光装置 发光层 外涂层 顶电极 色温 | ||
一种电致发光装置,包括基板,所述基板具有包括主子像素和辅子像素的子像素;设置在基板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,第一薄膜晶体管对应于主子像素且第二薄膜晶体管对应辅子像素;在第一和第二薄膜晶体管上的外涂层;在外涂层上的第一底电极和第二底电极,第一底电极对应于主子像素,第二底电极对应于辅子像素;在第一底电极和第二底电极上的发光层;以及在发光层上的顶电极,其中主子像素和辅子像素具有不同的色温。
相关申请的交叉引用
本申请要求2017年9月27日提交韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2017-0124972的权益,该韩国专利申请通过引用全部并入本文。
技术领域
本公开涉及一种电致发光装置,并且更具体地,涉及一种能够调节色温同时提高光提取效率的电致发光装置。
背景技术
电致发光装置使用自发光发光二极管,由此具有包括高响应速度、高发光效率、高亮度和大视角的优点。
从电致发光装置的发光二极管发射的光穿过电致发光装置的各种元件并且离开电致发光装置。
然而,由于从发光层发射的光中的一些光在电致发光装置中被俘获而不是离开电致发光装置,因此存在电致发光装置的光提取效率降低的问题。
此外,最近引入了所谓的“情绪照明”的概念。通过这种方式,增加了使用根据用户的偏好和使用目的选择性地发射具有高色温的冷白光及具有低色温的暖白光的白光源的需求。
然而,困难在于,必须针对发射光的每个波长范围调节光谱强度以实现期望的发光颜色。对于这种困难,已经引入了将材料添加至发光层的掺杂技术和将有机材料层添加至现有结构的方法。然而,掺杂技术和层添加方法的问题在于,其需要材料开发并且需要改变传统工艺。
发明内容
因此,本公开涉及一种基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题的电致发光装置。
本公开的目的是提供一种电致发光装置,其允许单个子像素通过被分成具有不同色温的主子像素和辅子像素而被驱动,从而能够在提高光提取效率的同时调节色温。
本公开的附加特征和优点将在下面的描述中阐述,并且将根据描述而部分地是明显的,或者可以通过本公开的实践来了解。本公开的目的和其他优点将通过所撰写的说明书及其权利要求书以及附图中具体指出的结构来实现和达成。
为了实现上述目标,本公开提供了一种电致发光装置,其包括基板,所述基板具有包括主子像素和辅子像素的子像素;设置在基板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,第一薄膜晶体管对应于主子像素且第二薄膜晶体管对应辅子像素;在第一和第二薄膜晶体管上的外涂层;在外涂层上的第一底电极和第二底电极,第一底电极对应于主子像素,并且第二底电极对应于辅子像素;在第一底电极和第二底电极上的发光层;以及在发光层上的顶电极,其中主子像素和辅子像素具有不同的色温。
应当理解,前面的一般描述和以下详细描述都是示例性和说明性的,并且旨在提供对要求保护的本公开的进一步说明。
附图说明
附图图示了本公开的实施方式并且与说明书一起用于说明本公开的原理,所包括的附图用于提供对本公开的进一步理解,并且附图被并入本说明书而且构成本说明书的一部分。在附图中:
图1是示意性地示出根据本公开的第一实施方式的电致发光装置的子像素的平面图;
图2是示意性示出根据本公开的第一实施方式的电致发光装置的子像素的截面图;
图3A是示出根据本公开的第一实施方式的电致发光装置的主子像素的光谱的图表,以及图3B是示出根据本公开的第一实施方式的电致发光装置的辅子像素的光谱的图表。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





