[发明专利]电致发光装置在审
| 申请号: | 201811076019.9 | 申请日: | 2018-09-14 |
| 公开(公告)号: | CN109560108A | 公开(公告)日: | 2019-04-02 |
| 发明(设计)人: | 张志向;具沅会;崔民根 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;王鹏 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 底电极 薄膜晶体管 子像素 主子像素 基板 电致发光装置 发光层 外涂层 顶电极 色温 | ||
1.一种电致发光装置,包括:
基板,具有包括主子像素和辅子像素的子像素;
设置在所述基板上的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管对应于所述主子像素,并且所述第二薄膜晶体管对应所述辅子像素;
在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管上的外涂层;以及
所述外涂层上的第一底电极和第二底电极,所述第一底电极对应于所述主子像素,并且所述第二底电极对应于所述辅子像素;
在所述第一底电极和所述第二底电极上的发光层;以及
在所述发光层上的顶电极;
其中,所述主子像素和所述辅子像素具有不同的色温。
2.根据权利要求1所述的电致发光装置,其中,所述外涂层在所述主子像素中包括第一微透镜,所述第一微透镜包括多个第一凹陷部分和多个第一突出部分,并且在所述主子像素中所述第一底电极、所述发光层和所述顶电极遵循所述第一微透镜的形态。
3.根据权利要求2所述的电致发光装置,其中,所述外涂层在所述辅子像素中具有平坦的形态,并且在所述辅子像素中所述第二底电极、所述发光层和所述顶电极遵循所述外涂层的所述平坦形态。
4.根据权利要求3所述的电致发光装置,其中,在所述第二底电极与所述基板之间设置有输出特定波长范围内的光的滤色器图案。
5.根据权利要求3所述的电致发光装置,其中,在所述第二底电极和所述基板之间设置有输出特定波长范围内的光的量子点。
6.根据权利要求2所述的电致发光装置,其中,所述外涂层还在所述辅子像素中包括第二微透镜,所述第二微透镜包括多个第二凹陷部分和多个第二突出部分,所述第二微透镜不同于所述第一微透镜,并且在所述辅子像素中所述第二底电极、所述发光层和所述顶电极遵循的所述第二微透镜的形态。
7.根据权利要求6所述的电致发光装置,其中所述多个第二突出部分中的每个具有在0.6μm至0.85μm的范围内的高度和在4.1μm至4.3μm的范围内的宽度。
8.根据权利要求2所述的电致发光装置,其中所述多个第一突出部分中的每个具有在0.9μm至1μm的范围内的高度和在4.4μm至4.6μm的范围内的宽度。
9.根据权利要求1所述的电致发光装置,其中在所述外涂层与所述第一底电极和所述第二底电极之间设置具有绝缘特性的钝化层。
10.一种电致发光装置,包括:
基板,具有包括主子像素、第一辅子像素和第二辅子像素的子像素;
设置在所述基板上的第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管,所述第一薄膜晶体管对应于所述主子像素,所述第二薄膜晶体管对应所述第一辅子像素,并且所述第三薄膜晶体管对应所述第二辅子像素;
在所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管和所述第三薄膜晶体管上的外涂层;以及
所述外涂层上的第一底电极、第二底电极和第三底电极,所述第一底电极对应于所述主子像素,所述第二底电极对应于所述第一辅子像素,并且所述第三底电极对应于所述第二辅子像素;
在所述第一底电极、所述第二底电极和所述第三底电极上的发光层;以及
在所述发光层上的顶电极;
其中,所述主子像素、所述第一辅子像素和所述第二辅子像素具有彼此不同的色温。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





