[发明专利]阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法有效
申请号: | 201811075874.8 | 申请日: | 2018-09-14 |
公开(公告)号: | CN109378325B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 朱阳杰;陆海峰 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;G09F9/30 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 朱颖;刘芳 |
地址: | 215333 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 制造 方法 | ||
本发明提供了一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法,通过使得阵列基板中位于弯折区上方的阻隔层的厚度小于位于显示区上方阻隔层厚度的一半的方式,使得阻隔层在应力作用下的延展性得到提升,使其不易因应力集中在阻隔层内而导致阻隔层出现断裂,进而避免了弯折区布线层的断裂,提高柔性显示面板的折弯性能。
技术领域
本发明涉及柔性显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法。
背景技术
有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light-Emitting Diode,简称AMOLED)是一种自发光显示器件,其自身具备的薄膜特性使其在柔性显示技术中得到广泛运用。
一般来说,为了使柔性显示面板具备弯曲功能,柔性显示面板可按照预设的布局被划分弯曲区和显示区,以分别实现其弯曲功能和显示功能。图1为现有的柔性显示面板中的阵列基板在弯曲区的结构示意图,如图1所示,阵列基板在弯折区包括有依次层叠设置柔性衬底基板110、阻隔层120和金属布线层140,其中,阻隔层120的背离柔性衬底基板110的一面上具有多个凸起结构130;金属步线层140中包括有至少两条金属线141,该金属线141随着凸起结构130爬坡延伸。在现有的这种方案中利用阻隔层120中凸起结构130的设置,拓展阵列基板的延展性,进而实现柔性显示面板的局部弯曲功能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法,用于优化柔性显示面板的弯曲效果。
为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一方面,本发明提供了一种阵列基板,包括:
柔性衬底基板,所述柔性衬底基板具有显示区和弯折区;
阻隔层,连续的铺设在所述柔性衬底基板上,其中位于弯折区上方的阻隔层的厚度小于位于显示区上方阻隔层厚度的一半;
布线层,直接铺设在位于所述弯折区的阻隔层上方。
在其中一种可选的实施方式中,所述位于弯折区上方的阻隔层的厚度小于位于显示区上方阻隔层厚度的四分之一,优选的所述阻隔层的厚度小于等于120nm。
在其中一种可选的实施方式中,位于所述弯折区上方的阻隔层包括多个带状凹陷,相邻的两个所述带状凹陷之间形成凸起结构;所述布线层包括若干个信号传输线,所述带状凹陷沿着信号传输线的延伸方向设置,所述信号传输线布设在所述凸起结构的顶部。
在其中一种可选的实施方式中,位于所述弯折区上方的阻隔层中带状凹陷部分的厚度小于30nm。
在其中一种可选的实施方式中,所述带状凹陷为穿透所述阻隔层的贯穿槽,且所述带状凹陷相对隔离设置。
在其中一种可选的实施方式中,位于显示区上方的阻隔层包括由柔性衬底基板表面向上依次叠置的第一阻隔层和第二阻隔层;所述第二阻隔层的材料与第一阻隔层的材料不同;
优选所述第一阻隔层的材料为氮化硅,所述第二阻隔层的材料为氧化硅;
优选位于弯折区上方的阻隔层的材料与所述第一阻隔层的材料相同。
又一方面,本发明提供了一种显示面板,所述显示面板包括如上任一项所述的阵列基板。
在其中一种可选的实施方式中,所述阵列基板包括显示区和弯折区,所述弯折区位于所述显示区的一侧短边的外部,优选所述弯折区弯折至所述显示区的背面。
在其中一种可选的实施方式中,所述阵列基板包括至少两个显示区和至少一个弯折区,所述弯折区位于相邻两个显示区之间。
最后一方面,本发明提供了一种阵列基板的制造方法,包括:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的