[发明专利]阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法有效
申请号: | 201811075874.8 | 申请日: | 2018-09-14 |
公开(公告)号: | CN109378325B | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 朱阳杰;陆海峰 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;G09F9/30 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 朱颖;刘芳 |
地址: | 215333 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 制造 方法 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
柔性衬底基板,所述柔性衬底基板具有显示区和弯折区;
阻隔层,连续的铺设在所述柔性衬底基板上,其中位于弯折区上方的阻隔层的厚度小于位于显示区上方阻隔层厚度的一半,位于弯折区上方的阻隔层的厚度小于等于120nm;其中,位于所述弯折区上方的阻隔层包括多个带状凹陷,相邻的两个所述带状凹陷之间形成凸起结构;
布线层,直接铺设在位于所述弯折区的阻隔层上方。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述位于弯折区上方的阻隔层的厚度小于位于显示区上方阻隔层厚度的四分之一。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述布线层包括若干个信号传输线,所述带状凹陷沿着信号传输线的延伸方向设置,所述信号传输线布设在所述凸起结构的顶部。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,位于所述弯折区上方的阻隔层中带状凹陷部分的厚度小于30nm。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述带状凹陷为穿透所述阻隔层的贯穿槽,且所述带状凹陷相对隔离设置。
6.根据权利要求1-5任一项所述的阵列基板,其特征在于,位于显示区上方的阻隔层包括由柔性衬底基板表面向上依次叠置的第一阻隔层和第二阻隔层;所述第二阻隔层的材料与第一阻隔层的材料不同。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第一阻隔层的材料为氮化硅,所述第二阻隔层的材料为氧化硅。
8.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,位于弯折区上方的阻隔层的材料与所述第一阻隔层的材料相同。
9.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括权利要求1至8中任一项所述的阵列基板。
10.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板包括显示区和弯折区,所述弯折区位于所述显示区的一侧短边的外部。
11.根据权利要求10所述的显示面板,其特征在于,所述弯折区弯折至所述显示区的背面。
12.根据权利要求9所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板包括至少两个显示区和至少一个弯折区,所述弯折区位于相邻两个显示区之间。
13.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:
提供一具有显示区和弯折区的柔性衬底基板;
在所述柔性衬底基板上连续铺设阻隔层;
在厚度上至少部分地去除位于所述弯折区上方的阻隔层,使位于弯折区上方的阻隔层的厚度小于位于显示区上方阻隔层厚度的一半,位于弯折区上方的阻隔层的厚度小于等于120nm;其中,位于所述弯折区上方的阻隔层包括多个带状凹陷,相邻的两个所述带状凹陷之间形成凸起结构;
在位于所述弯折区的阻隔层上方铺设金属膜,并对所述金属膜进行图案化处理,以形成布线层。
14.根据权利要求13所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,所述阻隔层包括:依次层叠设置的第一阻隔层和第二阻隔层;其中所述第一阻隔层的材料与所述第二阻隔层的材料为不同材料;
所述布线层包括若干个信号传输线;
所述对所述金属膜进行图案化处理,以形成布线层之后,还包括:
对位于所述弯折区的相邻信号传输线之间的第二阻隔层进行刻蚀,以去除位于所述弯折区的相邻信号传输线之间的第二阻隔层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的