[发明专利]晶片的加工方法

说明书

提供晶片的加工方法。该晶片是在正面上由交叉形成的多条分割预定线划分的芯片区域内分别形成有器件的器件晶片，其正面被密封材料密封，该方法具有如下工序：对准工序，通过可见光拍摄构件透过密封材料对器件晶片的正面侧进行拍摄而检测对准标记并据此检测应进行激光加工的分割预定线；改质层形成工序，将对于器件晶片和密封材料具有透过性的波长的激光束的聚光点定位在器件晶片或密封材料的内部并沿着分割预定线照射而形成改质层；和分割工序，对器件晶片和密封材料赋予外力而以改质层为分割起点将该晶片分割成正面被密封材料密封的各个器件芯片，一边通过倾斜光构件对可见光拍摄构件所拍摄的区域斜着照射光，一边实施对准工序。

技术领域

本发明涉及WL-CSP晶片的加工方法。

背景技术

WL-CSP(Wafer-level Chip Size Package：晶圆级芯片尺寸封装)晶片是指在晶片的状态下形成重布线层或电极(金属柱)之后对正面侧进行树脂密封并利用切削刀具等分割成各封装的技术，对晶片进行单片化而得的封装的大小是半导体器件芯片的大小，因此从小型化和轻量化的观点出发也被广泛采用。

在WL-CSP晶片的制造工艺中，在形成有多个器件的器件晶片的器件面侧形成重布线层，接着隔着重布线层形成与器件中的电极连接的金属柱，之后利用树脂将金属柱和器件密封。

接着，在对密封材料进行薄化并且使金属柱在密封材料正面露出之后，在金属柱的端面形成被称为电极凸块的外部端子。之后，利用切削装置等对WL-CSP晶片进行切削而分割成各个CSP。

为了保护半导体器件免受冲击或湿气等，利用密封材料进行密封是很重要的。通常，作为密封材料，使用向环氧树脂中混入了由SiC构成的填料而得的密封材料，从而使密封材料的热膨胀率接近半导体器件芯片的热膨胀率，防止了因热膨胀率之差而产生的加热时的封装破损。

通常使用切削装置将WL-CSP晶片分割成各个CSP。在该情况下，由于WL-CSP晶片的被用于检测分割预定线的器件被树脂覆盖，所以无法从正面侧检测器件的目标图案。

为此，将形成在WL-CSP晶片的树脂上的电极凸块作为目标来推断分割预定线，或者在树脂的上表面上印刷对准用的目标等而进行分割预定线与切削刀具的对准。

然而，由于电极凸块或印刷在树脂上的目标不像器件那样高精度地形成，所以作为对准用的目标，存在精度较低的问题。因此，在根据电极凸块或印刷的目标来推断分割预定线的情况下，有可能与分割预定线偏离地对器件部分进行切削。

因此，例如在日本特开2013-74021号公报中，提出了以在晶片外周露出的器件晶片的图案为基准来进行对准的方法。

专利文献1：日本特开2013-074021号公报

专利文献2：日本特开2016-015438号公报

然而，在晶片的外周通常器件精度较差，当以在晶片的外周露出的图案为基准实施对准时，有可能在与分割预定线分开的位置对晶片进行分割，而且因晶片的不同还存在器件晶片的图案未在外周露出的情况。

发明内容

本发明是鉴于这样的点而完成的，其目的在于，提供能够透过包覆于晶片正面的包含炭黑的密封材料来实施对准工序的晶片的加工方法。