[发明专利]带电粒子束描绘装置及消隐电路的故障诊断方法

说明书

本发明关于带电粒子束描绘装置及消隐电路的故障诊断方法。实施方式所得的带电粒子束描绘装置具备：放出部，放出带电粒子束；消隐偏转器，通过消隐电压的施加而偏转上述带电粒子束，进行束流的消隐控制；消隐电路，对上述消隐偏转器施加上述消隐电压；平台，载置被上述带电粒子束所照射的基板；标记物，设于上述平台上；检测器，通过上述带电粒子束对上述标记物的照射，检测上述带电粒子束的照射位置；诊断部，比较第1照射位置和第2照射位置间的差分，在该差分在规定值以上的情况下，诊断为上述消隐电路已发生故障，上述第1照射位置和上述第2位置是由上述检测器检测而得到的。

技术领域

本发明涉及带电粒子束描绘装置及消隐电路的故障诊断方法。

背景技术

伴随着LSI的高集成化，半导体设备所要求的电路线宽逐年微细化。为了向半导体设备形成所希望的电路图案，采用了使用缩小投影型曝光装置而将形成于石英上的高精度的原始图案(掩膜、或者是特别用于步进或扫描曝光装置中的掩膜也叫做光罩(Reticle)。)缩小转印于晶片上的手法。高精度的原始图案通过电子束描绘装置而被描绘，使用所谓电子束光刻技术。

电子束描绘装置使用偏转器使电子束偏转来进行描绘。由偏转器所执行的束流偏转的作用包括例如：射束的形状或尺寸的控制、发射位置的控制、切换束流的开/关的消隐控制等。

施加于消隐偏转器的消隐电压为第1规定值(例如5V)的情况下，束流全体被偏转为在消隐孔径处被屏蔽而成为束流关闭的状态。消隐电压在第2规定值(例如0V)的情况下，束流通过消隐孔径的开口，成为束流打开的状态。

对消隐偏转器施加电压的消隐电路具有DAC(数模转换器)放大器等模拟电路。该模拟电路中若发生异常，则无法将消隐电压调节为规定值而产生误差。消隐电压的误差会造成照射量不足或束流轴的倾斜，使描绘精度降低。模拟电路的异常发现迟晚的情况很多，例如，也会有无法在电子束描绘装置中发现，但通过描绘过的掩膜的缺陷检查或下个工序之后(例如晶片工序)，在几周之后发觉了异常的情况。该情况下，到异常发觉为止的期间，已经生产了大量的不良掩膜。

照射量不足会使描绘图案的尺寸变化。虽然也会考虑从图案尺寸来检测消隐电路有无异常发生，但在控制射束的尺寸的成形偏转电路已故障的的情况下也会产生同样的图案尺寸变化，因此难以掌握消隐电路中的异常发生。

发明内容

本发明提供：能够快速检测消隐电路的故障的带电粒子束描绘装置及消隐电路的故障诊断方法。

由本发明的一形态所得的带电粒子束描绘装置具备：放出部，放出带电粒子束；消隐偏转器，通过施加消隐电压而使所述带电粒子束偏转，进行束流的消隐控制；消隐电路，对所述消隐偏转器施加所述消隐电压；平台，载置被所述带电粒子束照射的基板；标记物，设于所述平台上；检测器，通过所述带电粒子束对所述标记物的照射，检测所述带电粒子束的照射位置；诊断部，比较第1照射位置和第2照射位置间的差分，在该差分在规定值以上的情况下，诊断为所述消隐电路已发生故障，所述第1照射位置是在针对所述标记物而将所述带电粒子束设为规定的散焦状态下在第1照射条件下用所述带电粒子束扫描所述标记物的情况下，由所述检测器检测所得，所述第2位置是在对所述第1照射条件中照射时间及建立时间的至少某一个进行变动的第2照射条件下用所述带电粒子束扫描所述标记物的情况下，由所述检测器检测所得。

附图说明

图1是基于本发明的实施方式的电子束描绘装置的示意图。

图2是说明电子束的可变成形的图。

图3(a)是表示正常时的束流轨道的图，图3(b)是表示消隐电压产生误差的情况下的束流轨道的图。

图4是表示束流轨道的例子的图。

图5是说明基于该实施方式所得的消隐电路的故障诊断方法的流程图。

具体实施方式