[发明专利]集成电路器件和制造集成电路器件的方法

说明书

本文公开了用于集成电路器件，具体地，用于鳍式场效应晶体管器件的栅极切割工艺。示例性方法包括接收包括栅极结构的集成电路器件，以及实施栅极切割工艺以将栅极结构分为第一栅极结构和第二栅极结构。栅极切割工艺包括选择性地去除栅极结构的部分，从而使得残留的栅极介电层在第一栅极结构和第二栅极结构之间延伸。在一些实施方式中，残留的栅极电介质包括高k介电材料。该方法还包括在第一栅极结构和第二栅极结构之间形成栅极隔离区域。本发明的实施例还涉及栅极电介质保留的栅极切割工艺。

技术领域

本发明的实施例涉及栅极电介质保留的栅极切割工艺。

背景技术

集成电路(IC)工业已经经历了指数型增长。IC材料和设计的技术进步已经产生了多代IC，其中，每一代都比先上一代具有更小且更复杂的电路。在IC发展过程中，功能密度(即，每芯片面积的互连器件的数量)已经普遍增大，而几何尺寸(即，使用制造工艺可产生的最小组件(或线))已经减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。

这种按比例缩小工艺也增加了处理和制造IC的复杂性，并且为了实现这些进步，需要IC处理和制造中的类似的发展。例如，传统的栅极切割技术受到先进的IC工艺节点所需的IC部件的密集封装的极大限制。具体地，栅极切割技术通常实施完全(或基本)去除栅极堆叠件的整个部分(包括例如至少一个栅电极层和至少一个栅极介电层)的蚀刻工艺。然而，已经观察到，由这些蚀刻工艺产生的横向蚀刻可能损坏IC的周围部件，诸如源极/漏极部件。因此，虽然现有的栅极切割技术和产生的栅极结构对于它们的预期目的通常已经足够，但是它们不是在所有方面都已完全令人满意。

发明内容

本发明的实施例提供了一种制造集成电路器件的方法，包括：接收包括栅极结构的集成电路器件，以及实施栅极切割工艺以将所述栅极结构分为第一栅极结构和第二栅极结构，其中，所述栅极切割工艺包括选择性地去除所述栅极结构的部分，从而使得残留的栅极电介质在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间延伸。

本发明的另一实施例提供了一种制造集成电路器件的方法，包括：接收包括栅极结构的集成电路器件，其中，所述栅极结构包括栅极电介质和栅电极；在所述集成电路器件上方形成图案化层，其中，所述图案化层包括暴露所述栅极结构的部分的开口；实施蚀刻工艺，选择性地去除所述栅极结构的暴露部分的所述栅电极而不完全去除所述栅极结构的暴露部分的所述栅极电介质，由此形成穿过所述栅极结构的栅极开口；以及用介电材料填充穿过所述栅极结构的所述栅极开口。

本发明的又一实施例提供了一种集成电路器件，包括：第一栅极结构，设置在第一源极/漏极部件之间，其中，所述第一栅极结构包括第一栅极电介质、第一栅电极和第一间隔件；第二栅极结构，设置在第二源极/漏极部件之间，其中，所述第二栅极结构包括第二栅极电介质、第二栅电极和第二间隔件；以及残留的栅极介电层，在所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质之间延伸。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。

图1是根据本发明的各个方面的用于制造集成电路器件的方法的流程图。

图2A至图5A、图2B至图5B、图2C至图5C以及图2D至图5D是根据本发明的各个方面的处于各个制造阶段(诸如与图1中的方法相关的那些)的部分或全部的集成电路器件的局部示意图。

具体实施方式

本发明涉及集成电路器件，并且更具体地，涉及用于集成电路器件的栅极切割技术。