[发明专利]集成电路器件和制造集成电路器件的方法

权利要求书

1.一种制造集成电路器件的方法，包括：

接收包括栅极结构的集成电路器件，所述栅极结构具有位于栅极电介质上方的栅电极，以及

实施栅极切割工艺以将所述栅极结构分为第一栅极结构和第二栅极结构，其中，所述栅极切割工艺包括：

从所述栅极结构的位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间的部分完全地去除所述栅电极，以及

从所述栅极结构的位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间的所述部分部分地去除所述栅极电介质，由此形成穿过所述栅极结构的栅极开口，从而使得位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间的所述部分中的残留的栅极电介质设置在所述栅极开口的侧壁表面上，以从所述第一栅极结构延伸至所述第二栅极结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述残留的栅极电介质包括高k介电材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极结构还包括栅极间隔件，并且所述栅极切割工艺从所述栅极结构的位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间的所述部分部分地去除所述栅极间隔件，从而使得位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间的所述部分中的残留的栅极间隔件也从所述第一栅极结构延伸至所述第二栅极结构。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述残留的栅极电介质不设置在所述栅极开口的底面上。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，实施所述栅极切割工艺包括：

在所述集成电路器件上方形成图案化层，其中，所述图案化层覆盖所述第一栅极结构和所述第二栅极结构并且包括暴露所述栅极结构的部分的开口；以及

蚀刻由所述开口暴露的所述栅极结构的部分。

6.根据权利要求1所述的方法，还包括，通过用金属栅极堆叠件替换伪栅极堆叠件形成所述栅极结构，其中，所述栅极切割工艺选择性地去除位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间的所述部分中的所述金属栅极堆叠件的部分。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，完全地去除所述栅电极以及部分性地去除所述栅极电介质包括使用基于氯的蚀刻剂。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述栅电极是多层栅电极，所述方法还包括调整所述基于氯的蚀刻剂以选择性地去除所述多层栅电极的每层。

9.根据权利要求1所述的方法，还包括，在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间形成位于所述部分中的所述残留的栅极电介质上方的栅极隔离区域。

10.一种制造集成电路器件的方法，包括：

接收包括栅极结构的集成电路器件，其中，所述栅极结构包括栅极电介质和栅电极；

在所述集成电路器件上方形成图案化层，其中，所述图案化层包括暴露所述栅极结构的部分的开口；

实施蚀刻工艺，选择性地去除所述栅极结构的暴露部分的所述栅电极而不完全去除所述栅极结构的暴露部分的所述栅极电介质，由此形成穿过所述栅极结构的栅极开口，从而所述栅极开口将所述栅极结构分成第一栅极结构以及第二栅极结构，其中，形成所述栅极开口包括：

从所述栅极结构的位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间的部分完全地去除所述栅电极，以及

从所述栅极结构的位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间的所述部分部分地去除所述栅极电介质，从而使得位于所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间的所述部分中的残留的栅极电介质设置在所述栅极开口的侧壁表面上，以从所述第一栅极结构延伸至所述第二栅极结构；以及

用介电材料填充穿过所述栅极结构的所述栅极开口。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括，实施栅极替换工艺以形成所述栅极结构。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，剩余的栅极电介质仅限定所述栅极开口的侧壁。