[发明专利]扇出型半导体封装件

权利要求书

1.一种扇出型半导体封装件，包括：

框架，包括：多个绝缘层；多个布线层，设置在所述多个绝缘层上；及多个连接过孔层，贯穿所述多个绝缘层并且使所述多个布线层彼此电连接，并且所述框架具有凹入部和设置在所述凹入部的底表面上的止挡层；

半导体芯片，设置在所述凹入部中并且具有连接焊盘、设置有所述连接焊盘的有效表面和与所述有效表面背对并且设置在所述止挡层上的无效表面；

包封剂，覆盖所述半导体芯片的至少部分并且填充所述凹入部的至少部分；及

连接构件，设置在所述框架和所述半导体芯片的所述有效表面上并且包括重新分布层，所述重新分布层使所述框架的所述多个布线层和所述半导体芯片的所述连接焊盘彼此电连接，

其中，所述半导体芯片的所述有效表面和所述包封剂的上表面之间具有台阶部，

其中，所述连接构件包括：绝缘层，设置在所述框架、所述包封剂和所述半导体芯片的所述有效表面上并且与所述半导体芯片的所述有效表面直接接触；所述重新分布层，设置在所述绝缘层上；第一连接过孔，贯穿所述绝缘层、与所述连接焊盘直接接触并且使所述重新分布层和所述连接焊盘彼此电连接；及第二连接过孔，贯穿所述绝缘层并且使所述重新分布层和所述框架的所述多个布线层中的最上方布线层彼此电连接，并且

其中，所述第一连接过孔的高度大于所述第二连接过孔的高度。

2.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，所述连接构件的所述绝缘层和所述包封剂之间的边界表面相对于所述连接构件的所述绝缘层和所述半导体芯片的所述有效表面之间的边界表面具有所述台阶部。

3.根据权利要求2所述的扇出型半导体封装件，其中，在垂直于所述半导体芯片的所述有效表面的方向上，所述连接构件的所述绝缘层在扇入区域中的厚度与所述连接构件的所述绝缘层在扇出区域中的厚度不同。

4.根据权利要求3所述的扇出型半导体封装件，其中，所述连接构件的所述绝缘层在所述扇入区域中的所述厚度大于所述连接构件的所述绝缘层在所述扇出区域中的所述厚度。

5.根据权利要求2所述的扇出型半导体封装件，其中，所述连接构件的所述绝缘层包括感光电介质。

6.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述多个绝缘层包括：芯绝缘层；一个或更多个第一积聚绝缘层，设置在所述芯绝缘层的下表面上；及一个或更多个第二积聚绝缘层，设置在所述芯绝缘层的上表面上，并且

所述芯绝缘层的厚度大于所述第一积聚绝缘层和所述第二积聚绝缘层中的每个的厚度。

7.根据权利要求6所述的扇出型半导体封装件，其中，第一积聚绝缘层的数量和第二积聚绝缘层的数量彼此相同。

8.根据权利要求6所述的扇出型半导体封装件，其中，所述凹入部至少贯穿所述芯绝缘层，并且贯穿所述一个或更多个第二积聚绝缘层中的至少一个。

9.根据权利要求8所述的扇出型半导体封装件，其中，所述一个或更多个第一积聚绝缘层的数量为两个或者更多个，并且

所述凹入部还贯穿所述一个或更多个第一积聚绝缘层中的一个或更多个，但不贯穿所述一个或更多个第一积聚绝缘层中的最下方的一个。

10.根据权利要求6所述的扇出型半导体封装件，其中，所述多个连接过孔层中的贯穿所述第一积聚绝缘层的第一连接过孔层和贯穿所述第二积聚绝缘层的第二连接过孔层沿着彼此相反的方向渐缩。

11.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述凹入部的壁渐缩。

12.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述半导体芯片的所述无效表面通过粘合构件附着到所述止挡层。