[发明专利]封装体检测方法

说明书

本发明涉及分析技术领域，尤其涉及一种封装体检测方法。所述封装体检测方法包括如下步骤：提供一封装体，所述封装体包括位于封装基板相对两侧的焊球和金线；引出所述焊球的触点至所述封装体外部，形成外部焊球触点；电连接所述外部焊球触点与所述金线，检测所述封装体内所述金线与所述焊球的电连接性能。本发明能够达到在同时与金线和焊球稳固连接的情况下，实现对金线与焊球电连接性能的准确检测，确保了对封装体分析、检测结果的准确性。

技术领域

本发明涉及分析技术领域，尤其涉及一种封装体检测方法。

背景技术

随着平面型闪存存储器的发展，半导体的生产工艺取得了巨大的进步。但是最近几年，平面型闪存的发展遇到了各种挑战：物理极限、现有显影技术极限以及存储电子密度极限等。在此背景下，为解决平面闪存遇到的困难以及追求更低的单位存储单元的生产成本，各种不同的三维(3D)闪存存储器结构应运而生，例如3D NOR(3D或非)闪存和3D NAND(3D与非)闪存。

其中，3D NAND存储器以其小体积、大容量为出发点，将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念，生产出高单位面积存储密度，高效存储单元性能的存储器，已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。

封装是3D NAND存储器制造过程中的一个重要步骤。BGA(Ball Grid Array，球栅阵列)封装，是一种新型的表面贴装大规模集成电路的封装形式。与传统的QFP(Quad FlatPackage，四侧引脚扁平封装)工艺相比，BGA封装技术提高了输入/输出端子数量，减少了寄生电感和电容，改善了3D NAND存储器的电性能。但是，目前还没有有效的方法对BGA封装体的封装质量进行检测。

因此，如何准确实现对封装体封装质量的检测，确保对封装体分析、检测结果的准确性，是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明提供一种封装体检测方法，用于解决现有技术不能对封装体封装质量进行准确检测的问题，以确保对封装体分析、检测结果的准确性。

为了解决上述问题，本发明提供了一种封装体检测方法，包括如下步骤：

提供一封装体，所述封装体包括位于封装基板相对两侧的焊球和金线；

引出所述焊球的触点至所述封装体外部，形成外部焊球触点；

电连接所述外部焊球触点与所述金线，检测所述封装体内所述金线与所述焊球的电连接性能。

优选的，所述封装体为BGA封装体。

优选的，引出所述焊球的触点至所述封装体外部的具体步骤包括：

自所述封装基板形成有所述焊球的一侧引出所述焊球的触点至所述封装体外部。

优选的，自所述封装基板形成有所述焊球的一侧引出所述焊球的触点至所述封装体外部的具体步骤包括：

将所述封装体放置于一承载部上，所述承载部具有用于与所述焊球接触的承载面、与所述承载面相对的引出面、以及贯穿所述承载部的通孔；

采用一引出部自所述引出面穿过所述通孔与所述承载面上的所述焊球电连接，将所述焊球的触点引出至所述封装体外部。

优选的，还包括如下步骤：

在所述承载部上移动所述封装体，对齐所述焊球与所述通孔。

优选的，所述承载部包括一透明绝缘承载板，所述通孔贯穿所述透明绝缘承载板。

优选的，所述引出部包括导电针、引出线和接触垫；将所述焊球的触点引出至所述封装体外部的具体步骤包括：

所述导电针的针尖部穿过所述通孔，与所述焊球电连接；