[发明专利]一种基于FDSOI的gg-NMOS器件有效
| 申请号： | 201811051919.8 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN109309128B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 王源;张立忠;张兴;何燕冬 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;吴欢燕 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 fdsoi gg nmos 器件 | ||
1.一种基于FDSOI的gg-NMOS器件，其特征在于，包括：沟道区、P型衬底、埋氧区及N阱注入区；
所述埋氧区形成于所述P型衬底的上部，所述沟道区形成于所述埋氧区的上部；
所述N阱注入区形成于所述P型衬底的上部且所述N阱注入区与所述埋氧区连接，所述N阱注入区与所述沟道区的耦合面积大于零；
还包括：漏区；所述漏区形成于所述埋氧区的上部，所述漏区与静电输入端连接。
2.根据权利要求1所述的基于FDSOI的gg-NMOS器件，其特征在于，还包括：源区及栅区；
所述源区形成于所述埋氧区的上部，且所述源区与所述漏区位于所述沟道区的两侧，所述栅区形成于所述沟道区的上部。
3.根据权利要求1所述的基于FDSOI的gg-NMOS器件，其特征在于，还包括：第一金属区；
所述第一金属区形成于所述漏区的上部，所述漏区通过所述第一金属区与所述静电输入端连接。
4.根据权利要求2所述的基于FDSOI的gg-NMOS器件，其特征在于，还包括：衬底引出区、第二金属区及第三金属区；
所述衬底引出区形成于所述P型衬底的上部，所述第二金属区形成于所述衬底引出区的上部，所述衬底引出区通过所述第二金属区接地；
所述第三金属区形成于所述源区的上部，所述源区通过所述第三金属区接地。
5.根据权利要求2所述的基于FDSOI的gg-NMOS器件，其特征在于，所述栅区接地。
6.根据权利要求2所述的基于FDSOI的gg-NMOS器件，其特征在于，所述栅区为high-k金属栅区。
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