[发明专利]半导体结构的形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，所述衬底表面具有堆叠结构；形成贯穿所述堆叠结构的沟道孔；在所述沟道孔的内壁表面形成一材料层；对所述堆叠结构和材料层进行退火处理，退火处理过程中产生的活性离子或原子能被所述材料层吸附；对所述材料层进行湿法刻蚀，至少部分去除所述沟道孔底部的材料层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：所述材料层的厚度沿沟道孔底部至沟道孔顶部方向逐渐增大。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述材料层的最大厚度为最小厚度的1.5～2倍。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述材料层的厚度均匀。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述材料层的厚度为8nm～15nm。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述退火处理在惰性气氛下进行，退火温度为850摄氏度以上，时间为10小时以上。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述材料层的材料包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅以及多晶硅中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述材料层能够吸附H原子、H离子、N原子、N离子、O离子和O原子中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：至少去除部分所述沟道孔底部的材料层之后，刻蚀所述沟道孔底部的衬底；去除所述沟道孔侧壁表面剩余的材料层；在所述沟道孔底部形成半导体外延层。

10.根据权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成覆盖所述沟道孔侧壁表面的功能侧墙、覆盖所述功能侧墙以及半导体外延层的沟道层、以及位于所述沟道层表面填充满所述沟道孔的沟道介质层。