[发明专利]显示基板及其制备方法、显示面板有效
申请号: | 201811050646.5 | 申请日: | 2018-09-10 |
公开(公告)号: | CN109192737B | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 彭利满;吴岩;刘祺 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 面板 | ||
本发明公开了一种显示基板及其制备方法、显示面板,该显示基板包括:衬底基板;所述衬底基板上设置有第一绝缘层和第二绝缘层,其中,所述第一绝缘层的薄膜应力方向与所述第二绝缘层的薄膜应力方向相同。该显示基板有利于提高画面显示均匀性,避免出现白点等显示不良,改善显示画面的显示效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及显示基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
有机发光二极管OLED(Organic light-emitting diodes,OLED)为一种自发光器件,显示面板可采用OLED器件作为发光元件,制作成OLED显示面板。
有源矩阵有机发光二极管AMOLED(Active-matrix organic light emittingdiode,简称AMOLED)显示面板具有视角广和功耗低等优点。
AMOLED显示面板包括显示基板,显示基板上形成有OLED器件、像素电路和信号线等,像素电路用于驱动OLED器件发光。
用于形成像素电路和信号线的层结构中包括多层金属层和位于金属层之间的绝缘层,对于绝缘层而言,不需要进行构图,因此,在显示基板的部分区域形成有叠加的有多层绝缘层,多层绝缘层的厚度整体较薄,相邻的两层绝缘层之间容易出现相互分离(Peeling)的问题,因此导致金属层之间的交叠处出现短路,引起显示画面不良。
发明内容
本发明提供一种柔性显示基板及其制备方法、显示面板,以解决相关技术中的不足。
根据本发明实施例的第一方面,提供一种显示基板,包括:
衬底基板;
所述衬底基板上设置有第一绝缘层和第二绝缘层,其中,所述第一绝缘层的薄膜应力方向与所述第二绝缘层的薄膜应力方向相同。
可选的,所述第一绝缘层的薄膜应力和所述第二绝缘层的薄膜应力均为压应力。
可选的,所述第一绝缘层的压应力为500~700帕斯卡,所述第二绝缘层的压应力为500~700帕斯卡。
可选的,所述第一绝缘层包括氧化层膜层和第一氮化硅膜层,所述第二绝缘层包括第二氮化硅膜层。
可选的,所述第一绝缘层下方还设置有有源区以及与所述有源区位于同层且分别位于所述有源区两侧的源极区和漏极区;
所述第一绝缘层上还设置有位于同层的栅极和第一存储电极;
所述第二绝缘层设置于所述栅极和所述第一存储电极上;
所述第二绝缘层上对应所述第一存储电极的位置还设置有第二存储电极。根据本发明实施例的第二方面,提供一种显示基板的制备方法,包括:
衬底基板;
在衬底基板上依次形成第一绝缘层和第二绝缘层;
其中,所述第一绝缘层的薄膜应力方向与所述第二绝缘层的薄膜应力方向相同。
可选的,所述第一绝缘层包括氧化层膜层和第一氮化硅膜层,所述第二绝缘层包括第二氮化硅膜层;
所述在衬底基板上依次形成第一绝缘层和第二绝缘层,包括:
利用化学气相沉淀设备在所述衬底基板上沉积氧化硅膜层,使所述氧化硅膜层的薄膜应力为压应力;
利用化学气相沉淀设备在所述氧化硅薄膜层上沉积第一氮化硅膜层,控制所述化学气相沉淀设备的成膜压力为设定压力值或射频功率为设定功率值使所述第一氮化硅膜层的薄膜应力为压应力;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的