[发明专利]显示基板及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

所述衬底基板上设置有第一绝缘层和第二绝缘层；

其中，所述第一绝缘层下方还设置有有源区以及与所述有源区位于同层且分别位于所述有源区两侧的源极区和漏极区；所述第一绝缘层上还设置有位于同层的栅极和第一存储电极；第一绝缘层作为设置在有源区和栅极之间的栅极绝缘层；

所述第二绝缘层设置于所述栅极和所述第一存储电极上；所述第二绝缘层上对应所述第一存储电极的位置还设置有第二存储电极；第二绝缘层作为设置在第一存储电极之间和第二存储电极之间的中间绝缘层；

所述第一绝缘层的薄膜应力方向与所述第二绝缘层的薄膜应力方向相同；

所述第一绝缘层的薄膜应力和所述第二绝缘层的薄膜应力均为压应力；

所述第二绝缘层的薄膜应力为-700～-500帕斯卡。

2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，

所述第一绝缘层的压应力为500～700帕斯卡。

3.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，

所述第一绝缘层包括氧化层膜层和第一氮化硅膜层，所述第二绝缘层包括第二氮化硅膜层。

4.一种显示基板的制备方法，其特征在于，包括：

衬底基板；

在衬底基板上形成有源区、源极区和漏极区，源极区和漏极区与所述有源区位于同层，且分别位于所述有源区两侧；

在所述有源区、源极区和漏极区上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成栅极和第一存储电极；

在所述第一绝缘层、栅极和第一存储电极上形成第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上对应所述第一存储电极的位置形成第二存储电极；

其中，所述第一绝缘层的薄膜应力方向与所述第二绝缘层的薄膜应力方向相同；并且，所述第一绝缘层的薄膜应力和所述第二绝缘层的薄膜应力均为压应力，所述第二绝缘层的薄膜应力为-700～-500帕斯卡。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一绝缘层包括氧化层膜层和第一氮化硅膜层，所述第二绝缘层包括第二氮化硅膜层；

所述在衬底基板上依次形成第一绝缘层和第二绝缘层，包括：

利用化学气相沉淀设备在所述衬底基板上沉积氧化硅膜层，使所述氧化硅膜层的薄膜应力为压应力；

利用化学气相沉淀设备在所述氧化硅薄膜层上沉积第一氮化硅膜层，控制所述化学气相沉淀设备的成膜压力为设定压力值或射频功率为设定功率值使所述第一氮化硅膜层的薄膜应力为压应力；

利用化学气相沉淀设备在所述第一氮化硅膜层上沉积第二氮化硅膜层，控制所述化学气相沉淀设备的成膜压力为所述设定压力值或射频功率为所述设定功率值使所述第二氮化硅膜层的薄膜应力为压应力。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，

所述设定压力值的范围为900至1100帕斯卡，所述设定功率值的范围为8800～11000瓦。

7.一种显示面板，其特征在于，包括：权利要求1-3任一项所述的显示基板。