[发明专利]非易失性存储器胞的编程方法

说明书

本发明提供一种非易失性存储器胞的编程方法。所述非易失性存储器胞包括基板，以及设置于基板上且互相串联耦合的选择晶体管、跟随性栅极晶体管及包括第一栅极氧化层的反熔丝晶体管。所述编程方法包括向非易失性存储器胞施加可变直流电压源，所述可变直流电压源包括于第一栅极氧化层内形成陷获路径的至少一高电压部分以及用于使陷获路径结晶成硅丝的至少一低电压部分。

技术领域

本发明涉及一种编程电子装置的方法，且特别涉及一种非易失性存储器胞的编程方法。

背景技术

非易失性存储器(Nonvolatile memory，NVM)因为即使在没有供应电源的情况下，仍可以保存数据，故而广泛用于各种电子装置。

通常，非易失性存储器可以藉由浮置栅极晶体管或反熔丝晶体管(anti-fusetransistors)来实现。

以浮置栅极晶体管实施的非易失性存储器而言，藉由使用合适的控制机制，热载子可以注入浮置栅极晶体管的浮置栅极或自浮置栅极射出。因此，由浮置栅极晶体管组成的非易失性存储器可以用作多次编程存储器。

以反熔丝晶体管实施的非易失性存储器而言，反熔丝晶体管的存储状态是根据反熔丝晶体管的栅极氧化层的凿穿状态判断的。在栅极氧化层被凿穿后，栅极氧化层无法恢复。因此，由反熔丝晶体管组成的非易失性存储器可作为一次性编程存储器。

然而，在操作一次性编程存储器的既有方法中，由于栅极氧化物积集度的变化和凿穿后的栅极氧化物特性，不仅造成功率的浪费，芯片的可靠性也会受到影响。

发明内容

因此，本发明提出一种非易失性存储器胞的编程方法，藉由提供由多个部分所组成的可变直流电压源(DC voltage source)，以改善功率消耗并提升芯片的可靠性。

根据本发明一实施例的一种非易失性存储器胞的编程方法包括数个步骤。所述非易失性存储器胞包括基板，以及设置于基板上且互相串联耦合的选择晶体管(selecttransistor)、跟随性栅极晶体管(following gate transistor)及包括第一栅极氧化层的反熔丝晶体管(anti-fuse transistor)。所述方法包括：向所述非易失性存储器胞施加可变直流电压源，所述可变直流电压源包括于第一栅极氧化层内形成陷获路径(trappingpath)的至少一高电压部分以及用于使所述陷获路径结晶成硅丝(silicon filament)的至少一低电压部分。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1是依照本发明一实施例所绘示的一种非易失性存储器胞的剖面示意图。

图2是依照本发明一实施例的编程操作的波形图。

【符号说明】

10：非易失性存储器胞

100：基板

102：选择晶体管

102a：选择栅极

102b：第二栅极氧化层

104：跟随性栅极晶体管

104a：跟随性栅极

104b：第三栅极氧化层

106：反熔丝晶体管

106a：反熔丝栅极

106b：第一栅极氧化层

108：P型井

110a、110b、110c、110d：掺杂区

112：隔离结构