[发明专利]非易失性存储器胞的编程方法有效
| 申请号： | 201811050013.4 | 申请日： | 2018-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN109493908B | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 陈冠勋;卢俊宏;罗明山 | 申请（专利权）人： | 力旺电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 徐协成 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 编程 方法 | ||
1.一种非易失性存储器胞的编程方法，所述非易失性存储器胞具有基底，以及设置于所述基底上且互相串联耦合的选择晶体管、跟随性栅极晶体管及反熔丝晶体管，所述反熔丝晶体管包括第一栅极氧化层，所述编程方法的特征在于,包括：
向所述非易失性存储器胞施加可变直流电压源，所述可变直流电压源包括于所述第一栅极氧化层内形成陷获路径的至少一高电压部分以及用于使所述陷获路径结晶成硅丝的至少一低电压部分，其中所述至少一高电压部分的持续时间等于或短于所述至少一低电压部分的持续时间，其中所述至少一低电压部分的振幅为所述至少一高电压部分的振幅的1/4至3/4倍。
2.如权利要求1所述的非易失性存储器胞的编程方法，其中所述反熔丝晶体管为电容器。
3.如权利要求1所述的非易失性存储器胞的编程方法，其中所述选择晶体管包括第二栅极氧化层，所述跟随性栅极晶体管包括第三栅极氧化层，其中所述第三栅极氧化层的厚度等于所述第二栅极氧化层的厚度。
4.如权利要求1所述的非易失性存储器胞的编程方法，其中所述选择晶体管包括第二栅极氧化层，所述第一栅极氧化层的厚度等于所述第二栅极氧化层的厚度。
5.如权利要求1所述的非易失性存储器胞的编程方法，其中所述至少一高电压部分的持续时间与所述至少一低电压部分的持续时间的比例小于1/2。
6.如权利要求1所述的非易失性存储器胞的编程方法，其中所述至少一低电压部分的振幅为所述至少一高电压部分的振幅的2/3倍。
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